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1. (WO2005017995) PROCEDE DE FABRICATION DE COMPOSANTS ELECTRONIQUES FAISANT APPEL A UN MOULAGE PAR INJECTION DE LIQUIDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/017995    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/025050
Date de publication : 24.02.2005 Date de dépôt international : 29.07.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    06.01.2005    
CIB :
H01L 21/56 (2006.01), H01L 21/58 (2006.01), H01L 23/31 (2006.01)
Déposants : DOW CORNING CORPORATION [US/US]; 2200 West Salzburg Road, Midland, MI 48686-0994 (US) (Tous Sauf US).
CHENG, Tammy [US/US]; (US) (US Seulement).
DOBRZELEWSKI, Mark [US/US]; (US) (US Seulement).
WINDIATE, Christopher [US/US]; (US) (US Seulement).
SOLOMON, Daniel [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CHENG, Tammy; (US).
DOBRZELEWSKI, Mark; (US).
WINDIATE, Christopher; (US).
SOLOMON, Daniel; (US)
Mandataire : BROWN, Catherine, U.; Patent Department - Mail CO1232, 2200 West Salzburg Road, Midland, MI 48686-0994 (US)
Données relatives à la priorité :
60/493,857 08.08.2003 US
Titre (EN) PROCESS FOR FABRICATING ELECTRONIC COMPONENTS USING LIQUID INJECTION MOLDING
(FR) PROCEDE DE FABRICATION DE COMPOSANTS ELECTRONIQUES FAISANT APPEL A UN MOULAGE PAR INJECTION DE LIQUIDE
Abrégé : front page image
(EN)A process for fabricating an electronic component includes a liquid injection molding method for overmolding a semiconductor device. The liquid injection molding method includes: i) placing the semiconductor device in an open mold, ii) closing the mold to form a mold cavity, iii) heating the mold cavity, iv) injection molding a curable liquid into the mold cavity to overmold the semiconductor device, v) opening the mold and removing the product of step iv), and optionally vi) post-curing the product of step v). The semiconductor device may have an integrated circuit attached to a substrate through a die attach adhesive.
(FR)L'invention concerne un procédé pour fabriquer un composant électronique comprenant une méthode de moulage par injection de liquide permettant de surmouler un dispositif semi-conducteur. La méthode de moulage par injection de liquide consiste à : i) placer le dispositif semi-conducteur dans un moule ouvert, ii) fermer le moule pour former une cavité de moule, iii) chauffer la cavité de moule, iv) mouler par injection un liquide durcissable dans la cavité de moule pour surmouler le dispositif semi-conducteur, v) ouvrir le moule et retirer le produit de l'étape iv), et éventuellement vi) post-durcir le produit de l'étape v). Le dispositif semi-conducteur peut présenter un circuit intégré fixé sur un substrat par un adhésif de fixation de dé.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)