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1. (WO2005017992) TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP MUNI D'UNE ELECTRODE GACHETTE DOPEE PRESENTANT UNE DEPLETION DE GACHETTE REDUITE ET PROCEDE DE FORMATION DUDIT TRANSISTOR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/017992    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/017705
Date de publication : 24.02.2005 Date de dépôt international : 04.06.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    21.04.2005    
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : ADVANCED MICRO DEVICES, INC. [US/US]; One AMD Place, Mail Stop 68, P.O. Box 3453, Sunnyvale, CA 94088-3453 (US) (Tous Sauf US).
WIECZOREK, Karsten [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
FEUDEL, Thomas [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
KAMMLER, Thorsten [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
BUCHHOLTZ, Wolfgang [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : WIECZOREK, Karsten; (DE).
FEUDEL, Thomas; (DE).
KAMMLER, Thorsten; (DE).
BUCHHOLTZ, Wolfgang; (DE)
Mandataire : DRAKE, Paul, S.; Advanced Micro Devices, Inc., 5204 East Ben White Boulevard, Mail Stop 562, Austin, TX 78741 (US).
PFAU, Anton, K.; Grünecker, Kinkeldey, Stockmair & Schwanhäusser, Maximilianstrasse 58, 80538 München (DE)
Données relatives à la priorité :
103 35 103.5 31.07.2003 DE
10/790,852 02.03.2004 US
Titre (EN) FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING A DOPED GATE ELECTRODE WITH REDUCED GATE DEPLETION AND METHOD OF FORMING THE TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP MUNI D'UNE ELECTRODE GACHETTE DOPEE PRESENTANT UNE DEPLETION DE GACHETTE REDUITE ET PROCEDE DE FORMATION DUDIT TRANSISTOR
Abrégé : front page image
(EN)By forming an implantation mask (220) prior to the definition of the drain and the source areas (208), an effective decoupling of the gate dopant concentration from that of the drain and source concentrations is achieved. Moreover, after removal of the implantation mask (220), the lateral dimension of the gate electrode (205) may be defined by well-established sidewall spacer (207) techniques, thereby providing a scaling advantage with respect to conventional approaches based on photolithography and anisotropic etching.
(FR)On forme un masque d'implantation (220) antérieurement à la définition de zones drain et source (208) et au découplage effectif de la concentration du dopant de gâchette des concentrations de drain et de source. De plus, après l'enlèvement du masque d'implantation (220), la dimension latérale de l'électrode gâchette (205) peut être définie par des techniques utilisant un espaceur latéral bien défini (207), ce qui offre un avantage de réduction d'échelle par rapport aux méthodes traditionnelles fondées sur la photolithographie ou la gravure anisotropique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)