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1. (WO2005017987) APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCEDE DE FABRICATION DE DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/017987    N° de la demande internationale :    PCT/JP2004/009820
Date de publication : 24.02.2005 Date de dépôt international : 09.07.2004
CIB :
H01L 21/00 (2006.01), H01L 21/314 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01)
Déposants : HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 3-14-20, Higashi-Nakano, Nakano-ku, Tokyo 1648511 (JP) (Tous Sauf US).
SAKAI, Masanori [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAGAYA, Toru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAMAZAKI, Hirohisa [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SAKAI, Masanori; (JP).
KAGAYA, Toru; (JP).
YAMAZAKI, Hirohisa; (JP)
Mandataire : MIYAMOTO, Haruhiko; Urbane Sagami Bldg. 602, 19-13, Sagami-ono 3-chome, Sagamihara-shi, Kanagawa 2280803 (JP)
Données relatives à la priorité :
2003-293953 15.08.2003 JP
Titre (EN) SUBSTRATE TREATMENT APPRATUS AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCEDE DE FABRICATION DE DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR
(JA) 基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A substrate treatment apparatus, comprising a reaction tube (203) and a heater (207) heating a silicon wafer (200), wherein trimethyl aluminum (TMA) and ozone (O3) are alternately fed into the reaction tube (203) to generate Al2O3 film on the surface of the wafer (200). The apparatus also comprises supply tubes (232a) and (232b) for flowing the ozone and TMA and a nozzle (233) supplying gas into the reaction tube (203). The two supply tubes (232a) and (232b) are connected to the nozzle (233) disposed inside the heater (207) in a zone inside the reaction tube (203) where a temperature is lower than a temperature near the wafer (200) and the ozone and TMA are supplied into the reaction tube (203) through the nozzle (233).
(FR)L'invention concerne un appareil de traitement de substrat comprenant un tube à essai (203) et un appareil de chauffage (207) chauffant une tranche de silicium (200), le triméthylaluminium (TMA) et l'ozone (O3) étant envoyés en alternance dans le tube à essai (203), de manière que soit généré un film d'Al2O3 sur la surface de la tranche (200). L'appareil comporte également des tubes d'alimentation (232a) et (232b) pour la circulation de l'ozone et du TMA et une buse (233) envoyant du gaz dans le tube à essai (203). Les deux tubes d'alimentation (232a) et (232b) sont reliés à la buse (233) disposée à l'intérieur de l'appareil chauffant (207) dans une zone se trouvant à l'intérieur du tube à essai (203), dans laquelle la température est inférieure à celle à proximité de la tranche (200) et l'ozone et le TMA sont envoyés dans le tube à essai (203) par la buse (233).
(JA) 基板処理装置は、反応管203と、シリコンウエハ200を加熱するヒータ207とを有し、トリメチルアルミニウム(TMA)とオゾン(O)とを、反応管203内に交互に供給してウエハ200の表面にAl膜を生成する基板処理装置であって、オゾンとTMAとをそれぞれ流す供給管232a、232bと、反応管203内にガスを供給するノズル233と、を備え、2つの供給管232a、232bを、反応管203内のウエハ200付近の温度よりも低い温度の領域で、ヒータ207の内側に配置されたノズル233に連結させて、オゾンとTMAをノズル233を介して反応管203内にそれぞれ供給する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)