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1. (WO2005017979) FILMS SEMICONDUCTEURS EN ALLIAGES QUATERNAIRES OU SUPERIEURS DES GROUPES I-III-VI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/017979    N° de la demande internationale :    PCT/IB2004/051459
Date de publication : 24.02.2005 Date de dépôt international : 13.08.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    04.10.2005    
CIB :
H01L 31/032 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : UNIVERSITY OF JOHANNESBURG [ZA/ZA]; Cnr Kingsway & University Roads, Auckland Park, 2006 Johannesburg (ZA) (Tous Sauf US).
ALBERTS, Vivian [ZA/ZA]; (ZA) (US Seulement)
Inventeurs : ALBERTS, Vivian; (ZA)
Mandataire : D M KISCH INC; P O Box 781218, 2146 Sandton (ZA)
Données relatives à la priorité :
2003/6316 14.08.2003 ZA
2004/2497 30.03.2004 ZA
Titre (EN) GROUP I-III-VI QUATERNARY OR HIGHER ALLOY SEMICONDUCTOR FILMS
(FR) FILMS SEMICONDUCTEURS EN ALLIAGES QUATERNAIRES OU SUPERIEURS DES GROUPES I-III-VI
Abrégé : front page image
(EN)This invention relates to group IB-IIIA.VIA quaternary or higher alloys. More particularly, this invention relations to group IB-IIIA-VIA quaternary or pentenary alloys which are suitable for use as semiconductor films. More specifically, the invention relates to quaternary or pentenary alloys which are substantially homogeneous and are characterized by an x-ray diffraction pattern (XRD) having a main [112] peak at a 2&thetas; angle (2&thetas; (112)) of from 26° to 28° for Cu radiation at 40kV, wherein a glancing incidence x-ray diffraction pattern (GIXRD) for a glancing angle of from 0.2° to 10° reflects an absolute shift in the (2&thetas;(112)) angle of less than 0.06°.
(FR)L'invention concerne des alliages quaternaires ou supérieurs des groupes IB-IIIA-VIa, notamment des alliages quaternaires ou pentanaires des groupes IB-IIIA-VIA utiles comme films semiconducteurs, plus particulièrement des alliages quaternaires ou pentanaires sensiblement homogènes et caractérisés par un diagramme de diffraction des rayons X (XRD) ayant une crête principale (112) à un angle 2$g(u) (2$g(u)(112)) compris entre 26° et 28° pour le rayonnement Cu à 40kV, alors que le diagramme de diffraction des rayons X sous une incidence oblique (GIXRD) de 0,2° à 10° équivaut à un décalage absolu de l'angle 2$g(u)(112) de moins de 0,06°.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)