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1. (WO2005017971) ELECTRODES NANO-USINEES ET MICRO-USINEES POUR DISPOSITIFS ELECTROCHIMIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/017971    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/026534
Date de publication : 24.02.2005 Date de dépôt international : 16.08.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    07.03.2005    
CIB :
C25B 11/00 (2006.01), C25B 11/04 (2006.01), C25D 3/38 (2006.01), C25D 3/66 (2006.01), C25D 5/34 (2006.01), C25D 5/48 (2006.01), C25D 11/04 (2006.01), C25D 11/06 (2006.01), C25D 17/10 (2006.01), C25D 17/12 (2006.01)
Déposants : JOHNSON RESEARCH & DEVELOPMENT COMPANY, INC. [US/US]; 263 Decatur Street, Atlanta, GA 30312 (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : BABIC, Davorin; (US).
BAXLEY, John, M.; (US).
BROWNE, Paul, D.; (US)
Mandataire : KENNEDY, Dorian, B.; Baker, Donelson et al., Five Concourse Parkway, Suite 900, Atlanta, GA 30328 (US)
Données relatives à la priorité :
60/494,965 14.08.2003 US
  13.08.2004 US
Titre (EN) NANOMACHINED AND MICROMACHINED ELECTRODES FOR ELECTROCHEMICAL DEVICES
(FR) ELECTRODES NANO-USINEES ET MICRO-USINEES POUR DISPOSITIFS ELECTROCHIMIQUES
Abrégé : front page image
(EN)A nanomachined and micromachined electrode (10) is disclosed that is produced by providing a layer of aluminum (11) positioned upon a conductive substrate (12), anodizing the layer of aluminum to produce a layer of aluminum oxide (13) having an array of pores (14), depositing a sacrificial metal (17) within the pores of the aluminum oxide layer, etching the aluminum oxide layer so as to leave an array of sacrificial metal rods (18), depositing a layer of electrode material (19) between the array of sacrificial metal rods, and etching the sacrificial metal rods so that a layer of copper remains having an array of pores (20) where the sacrificial metal rods had existed. The layer of copper is the electrode (10).
(FR)Cette invention se rapporte à une électrode nano-usinée et micro-usinée (10) que l'on produit en disposant une couche d'aluminium (11) sur un substrat conducteur (12), en anodisant la couche d'aluminium pour produire une couche d'oxyde d'aluminium (13) présentant un réseau de pores (14), en déposant une métal sacrificiel (17) dans ces pores de la couche d'oxyde d'aluminium, en attaquant la couche d'oxyde d'aluminium pour laisser un réseau de tige de métal sacrificiel (18), à déposer une couche de matériau électrode (19) entre le réseau des tiges de métal sacrificiel, et à attaquer les tiges de métal sacrificiel, de façon à laisser une couche de cuivre présentant une réseau de pores (20) formés par le passage des tiges de métal sacrificiel ayant disparu. La couche de cuivre constitue l'électrode (10).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)