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1. (WO2005017937) RESEAU DE CAPTEURS POUR MESURER LES CARACTERISTIQUES DU PLASMA DANS DES ENVIRONNEMENTS DE TRAITEMENT AU PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/017937    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/026127
Date de publication : 24.02.2005 Date de dépôt international : 12.08.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    26.05.2005    
CIB :
C23C 16/00 (2006.01), C23F 1/00 (2006.01), G01K 11/00 (2006.01), G01N 27/60 (2006.01), G01R 27/26 (2006.01), G01R 27/28 (2006.01), H01L 21/00 (2006.01), H01L 21/302 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01), H01L 21/461 (2006.01), H05H 1/00 (2006.01)
Déposants : ADVANCED ENERGY INDUSTRIES, INC. [US/US]; 1625 Sharp Point Drive, Fort Collins, CO 80525 (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : MAHONEY, Leonard; (US).
ALMGREN, Carl, W.; (US).
ROCHE, Gregory, A.; (US).
SPROUL, William, D.; (US).
WALDE, Hendrik, V.; (US).
SAYLOR, William, W.; (US)
Mandataire : PIRNOT, John, D.; Advanced Energy Industries, Inc., 1625 Sharp Point Drive, Fort Collins, CO 80525 (US)
Données relatives à la priorité :
10/640,892 14.08.2003 US
Titre (EN) SENSOR ARRAY FOR MEASURING PLASMA CHARACTERISTICS IN PLASMA PROCESSING ENVIROMENTS
(FR) RESEAU DE CAPTEURS POUR MESURER LES CARACTERISTIQUES DU PLASMA DANS DES ENVIRONNEMENTS DE TRAITEMENT AU PLASMA
Abrégé : front page image
(EN)A plasma processing system is provided with diagnostic apparatus for making insitu measurements of plasma properties. The diagnostic apparatus generally comprises a non-invasive sensor array disposed within a plasma processing chamber, an electrical circuit for stimulating the sensors, and means for recording and communicating sensor measurements for monitoring or control of the plasma process. In one form, the sensors are dynamically pulsed dual floating Langmuir probes that measure incident charged particle currents and electron temperatures in proximity to the plasma boundary or boundaries within the processing system. The plasma measurements may be used to monitor the condition of the processing plasma or furnished to a process system controller for use in controlling the plasma process.
(FR)Un système de traitement au plasma est muni d'un dispositif de diagnostic qui permet d'effectuer des mesures in situ des propriétés du plasma. De dispositif de diagnostic comprend généralement un réseau de capteurs non invasifs placés dans une chambre de traitement au plasma, un circuit électrique pour stimuler les capteurs, ainsi que des moyens d'enregistrement et de communication des mesures du capteur pour surveiller ou contrôler le traitement au plasma. Dans un premier mode de réalisation, les capteurs sont des sondes de Langmuir flottantes doubles à impulsion dynamique qui mesurent les courants de particules chargées incidentes ainsi que la température des électrons à proximité de la limite ou des limites de plasma dans le système de traitement. Les mesures de plasma peuvent être utilisées pour surveiller l'état du plasma de traitement ou transmises à un contrôleur de système de traitement pour contrôler le traitement au plasma.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)