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1. (WO2005017906) MEMOIRE A CHANGEMENT DE PHASE MULTICOUCHE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/017906    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/023868
Date de publication : 24.02.2005 Date de dépôt international : 26.07.2004
CIB :
H01L 45/00 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard, Santa Clara, CA 95052 (US)
Inventeurs : JOHNSON, Brian, G.; (US).
HUDGENS, Stephen, J.; (US)
Mandataire : TROP, Timothy, N.; Trop, Pruner & Hu, P.C., 8554 Katy Freeway, Ste. 100, Houston, TX 77024 (US)
Données relatives à la priorité :
10/634,130 04.08.2003 US
Titre (EN) MULTILAYERED PHASE CHANGE MEMORY
(FR) MEMOIRE A CHANGEMENT DE PHASE MULTICOUCHE
Abrégé : front page image
(EN)A phase change layer may switch between more and less conductive states in response to electrical stimulation. The phase change layer may be positioned over a non-switching ovonic material which acts as an electrode, a resistive heater, and an insulating barrier. The phase change layer may be positioned over a non-switching ovonic material which acts as an electrode, a resistive heater, and a thermal barrier.
(FR)L'invention concerne une couche à changement de phase pouvant être commutée entre des états plus ou moins conducteurs par rapport à la stimulation électrique. La couche à changement de phase peut être positionnée sur une matière ovonique non commutable qui agit comme une électrode, un chauffage résistif, et une barrière isolante. La couche à changement de phase peut être positionnée sur une matière ovonique non commutable qui agit en tant qu'électrode, chauffage résistif et barrière thermique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)