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1. (WO2005017904) DISPOSITIF D'ACCES A CHANGEMENT DE PHASE POUR MEMOIRES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/017904    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/022284
Date de publication : 24.02.2005 Date de dépôt international : 12.07.2004
CIB :
H01L 27/24 (2006.01)
Déposants : OVONYX, INC. [US/US]; 1090 Boeing Street, Boise, Idaho 83705 (US)
Inventeurs : LOWREY, Tyler, A.; (US)
Mandataire : TROP, Timothy, N.; TROP, PRUNER & HU, P.C., 8554 Katy Freeway, Suite 100, Houston, TX 77024 (US)
Données relatives à la priorité :
10/634,140 04.08.2003 US
Titre (EN) PHASE CHANGE ACCESS DEVICE FOR MEMORIES
(FR) DISPOSITIF D'ACCES A CHANGEMENT DE PHASE POUR MEMOIRES
Abrégé : front page image
(EN)A memory may have access devices formed using a chalcogenide material. The access device does not induce a snapback voltage sufficient to cause read disturbs in the associated memory element being accessed. In the case of phase change memory elements, the snapback voltage may be less than the threshold voltage of the phase change memory element.
(FR)Selon l'invention, une mémoire peut comprendre des dispositifs d'accès formés avec un matériau chalcogénure. Le dispositif d'accès n'induit pas de tension de recouvrement abrupt suffisante pour provoquer des perturbations en lecture dans le point mémoire contacté. Dans le cas de points mémoire à changement de phase, la tension de recouvrement abrupt peut être inférieure à la tension de seuil du point mémoire à changement de phase.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)