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1. (WO2005017627) PROCEDE DE GRAVURE D'UNE COUCHE DE SILICONE A MOTIFS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/017627    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/023601
Date de publication : 24.02.2005 Date de dépôt international : 28.07.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    25.02.2005    
CIB :
G03F 7/00 (2006.01), G03F 7/075 (2006.01), G03F 7/42 (2006.01), H01L 23/31 (2006.01)
Déposants : DOW CORNING CORPORATION [US/US]; 2200 West Salzburg Road, Midland, MI 48686-0994 (US) (Tous Sauf US).
BECKER, Gregory [US/US]; (US) (US Seulement).
GARDNER, Geoffrey [US/US]; (US) (US Seulement).
HARKNESS, Brian [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : BECKER, Gregory; (US).
GARDNER, Geoffrey; (US).
HARKNESS, Brian; (US)
Représentant
commun :
DOW CORNING CORPORATION; 2200 West Salzburg Road, Midland, MI 48686-0994 (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD FOR ETCHING A PATTERNED SILICONE LAYYER
(FR) PROCEDE DE GRAVURE D'UNE COUCHE DE SILICONE A MOTIFS
Abrégé : front page image
(EN)A method for reworking semiconductor materials includes: (i) applying a silicone composition to a surface of a substrate to form a film, (ii) exposing a portion of the film to radiation to produce a partially exposed film having non-exposed regions covering a portion of the surface and exposed regions covering the remainder of the surface; (iii) heating the partially exposed film for an amount of time such that the exposed regions are substantially insoluble in a developing solvent and the non-exposed regions are soluble in the developing solvent; (iv) removing the non­exposed regions of the heated film with the developing solvent to form a patterned film; (v) heating the patterned film for an amount of time sufficient to form a cured silicone layer; and (vi) removing all or a portion of the cured silicone layer by exposure to an anhydrous etching solution including an organic solvent and a base.
(FR)L'invention concerne un procédé destiné à réusiner des matériaux semi-conducteurs et consistant (i) à appliquer une composition de silicone sur une surface d'un substrat de manière à former un film, (ii) à exposer une partie de ce film à un rayonnement de façon à produire un film partiellement exposé comportant des zones non exposées recouvrant une partie de sa surface et des zones exposées recouvrant le reste de sa surface, (iii) à chauffer le film partiellement exposé pendant une durée donnée de sorte que les zones exposées soient sensiblement insolubles dans un solvant de développement et que les zones non exposées soient solubles dans le solvant de développement, (iv) à enlever les zones non exposées du film chauffé avec le solvant de développement de manière à former un film à motifs, (v) à chauffer le film à motifs pendant une durée suffisante pour former une couche de silicone durcie, et (vi) à enlever la totalité ou une partie de la couche de silicone durcie par exposition à une solution de gravure anhydre renfermant un solvant organique et une base.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)