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1. (WO2005017535) ACCELEROMETRE A TROIS AXES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/017535    N° de la demande internationale :    PCT/SG2004/000240
Date de publication : 24.02.2005 Date de dépôt international : 11.08.2004
CIB :
B81B 3/00 (2006.01), G01P 15/08 (2006.01), G01P 15/125 (2006.01), G01P 15/18 (2006.01)
Déposants : SENSFAB PTE LTD [SG/SG]; 85 Science Park Drive, #01-01 The Cavendish, Singapore 118259 (SG) (Tous Sauf US).
SOORIAKUMAR, Kathirgamasundaram [US/SG]; (SG) (US Seulement).
KOK, Kitt-Wai [SG/SG]; (SG) (US Seulement).
PATMON, Bryan Keith [US/SG]; (SG) (US Seulement)
Inventeurs : SOORIAKUMAR, Kathirgamasundaram; (SG).
KOK, Kitt-Wai; (SG).
PATMON, Bryan Keith; (SG)
Mandataire : DREW & NAPIER, LLC; 20 Raffles Place, #17-00 Ocean Towers, Singapore 048620 (SG)
Données relatives à la priorité :
200304840-2 14.08.2003 SG
Titre (EN) A THREE-AXIS ACCELEROMETER
(FR) ACCELEROMETRE A TROIS AXES
Abrégé : front page image
(EN)The invention comprises a method of fabricating a three-axis accelerometer. A first wafer having a first and a second major surface provided with etching at least two cavities in the first major surface of the first wafer and patterning metal onto the first major surface of the first wafer to form electrical connections for a third accelerometer. A second wafer, etching a portion of a first major surface of the second wafer and bonding the first major surface of the first wafer to the first major surface of the second wafer. The etching and bonding of the surfaces deposit and pattern metallizating, and deposit and pattern a masking layer on the second major surface of the second wafer, defining the shape of a first, a second and the third accelerometer. The first and second accelerometers are formed over the cavities etched in the first major surface of the first wafer. Etching the second major surface of the second wafer to form the accelerometer where the first and second accelerometers each include at least two independent sets of the beams. The masking layer from the second major surface of the second wafer is then removed.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un accéléromètre à trois axes, qui comporte les étapes consistant à : prévoir une première tranche de semi-conducteur présentant une première et une seconde surface principale, graver au moins deux cavités dans la première surface principale de la première tranche et former un motif métallique sur la première surface principale de la première tranche pour former les connexions électriques d'un troisième accéléromètre ; prévoir une deuxième tranche de semi-conducteur, graver une partie de la première surface principale de la deuxième tranche et lier la première surface principale de la première tranche à la première surface principale de la deuxième tranche ; métalliser la seconde surface principale de la deuxième tranche et former des motifs de métallisation, et déposer sur celle-ci une couche de masquage et y former des motifs définissant la forme d'un premier, d'un deuxième et d'un troisième accéléromètre, de sorte que les premier et deuxième accéléromètres sont formés sur les cavités gravées dans la première surface principale de la première tranche ; graver la seconde surface principale de la deuxième tranche pour former l'accéléromètre, les premier et deuxième accéléromètres comprenant chacun deux ensembles indépendants de faisceaux ; et éliminer la couche de masquage de la seconde surface principale de la deuxième tranche.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)