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1. (WO2005016597) TAMPON DE POLISSAGE A TRAITEMENT DE SURFACE DE CONTOUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/016597    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/024941
Date de publication : 24.02.2005 Date de dépôt international : 29.07.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    07.02.2005    
CIB :
B24B 37/04 (2006.01), B24D 13/14 (2006.01)
Déposants : PPG INDUSTRIES OHIO, INC. [US/US]; 3800 West 143rd Street, Cleveland, Ohio 44111 (US)
Inventeurs : SWISHER, Robert, G.; (US).
WANG, Alan, E.; (US)
Mandataire : MARMO, Carol, A.; PPG Industries, Inc., Intellectual Property, One PPG Place, 39th Floor, Pittsburgh, Pennsylvania 15272 (US)
Données relatives à la priorité :
60/493,292 07.08.2003 US
10/898,258 26.07.2004 US
Titre (EN) POLISHING PAD HAVING EDGE SURFACE TREATMENT
(FR) TAMPON DE POLISSAGE A TRAITEMENT DE SURFACE DE CONTOUR
Abrégé : front page image
(EN)The present invention is directed to a polishing pad having a sublayer and a polishing layer. The surface of the outer peripheral edge of the sublayer can be at least partially treated to reduce the absorption or permeation of polishing fluid into the sublayer through the outer peripheral edge. The application of the surface treatment at least reduces the amount of polishing fluid absorbed by the sublayer of the polishing pad during the polishing process. The polishing pad of the present invention is useful in polishing microelectronic substrates and especially useful in chemical mechanical planarization of semiconductor wafers.
(FR)La présente invention concerne un tampon de polissage comprenant une sous-couche et une couche de polissage. La surface du contour périphérique extérieur de la sous-couche peut être au moins partiellement traitée afin de réduire l'absorption ou la pénétration du fluide de polissage dans la sous-couche par le contour périphérique extérieur. L'application du traitement de surface permet au moins de réduire la quantité de fluide de polissage absorbé par la sous-couche du tampon de polissage au cours du processus de polissage. Le tampon de polissage de la présente invention est utilisé dans le polissage de substrats microélectroniques et, en particulier, dans la planarisation mécanique chimique de tranches semi-conductrices.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)