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1. (WO2005015653) TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/015653    N° de la demande internationale :    PCT/GB2004/003428
Date de publication : 17.02.2005 Date de dépôt international : 09.08.2004
CIB :
H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01)
Déposants : THE UNIVERSITY OF SHEFFIELD [GB/GB]; Firth Court, Western Bank, Sheffield S10 2TN (GB) (Tous Sauf US).
SCHRODER, Raoul [AT/GB]; (GB) (US Seulement).
GRELL, Martin [DE/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : SCHRODER, Raoul; (GB).
GRELL, Martin; (GB)
Mandataire : HUTCHINSON, Glenn; Harrison Goddard Foote, Fountain Precinct, Balm Green, Sheffield S1 2JA (GB)
Données relatives à la priorité :
0318522.0 07.08.2003 GB
0406334.3 22.03.2004 GB
Titre (EN) FIELD EFFECT TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to field effect transistor comprising source and drain electrodes separated by a semiconductor body region, and a gate electrode separated from said semiconductor body region by a gate insulator region, wherein the gate insulator region comprises a non-crystalline, preferably solutionprocessed, organic like material. Furthermore, the present invention also relates to a method of fabricating a field effect transistor comprising the steps of- a) forming a gate electrode; b) forming a gate insulator region; c) forming a semiconductor body region separated from said gate electrode by said gate insulator region; and d) forming source and drain electrodes separated from each other by said semiconductor body region, such that the gate insulator region comprises a solution processed non crystalline organic like material. A transistor in accordance with an embodiment of the present invention can be used in memory devices to store one bit per one component and the memory is permanent but re-writeable.
(FR)L'invention concerne un transistor à effet de champ comprenant des électrodes de source et de drain séparées par une zone comprenant un corps semi-conducteur, et une électrode de grille séparée de ladite zone de corps semi-conducteur par une zone d'isolant de grille, cette zone d'isolant de grille comprenant un matériau organique non cristallin de type ferroélectrique, de préférence formé par un procédé à base de solutions (« solution processed »). L'invention concerne en outre un procédé permettant de fabriquer un transistor à effet de champ comprenant les étapes consistant à a) former une électrode de grille ; b) former une zone d'isolant de grille, c) former une zone comprenant un corps semi-conducteur séparée de ladite électrode de grille par ladite zone d'isolant de grille ; et d) former des électrodes de source et de drain séparées l'une de l'autre par ladite zone de corps semi-conducteur, de telle manière que la zone d'isolant de grille comprend un matériau organique non cristallin de type ferroélectrique formé à partir de solutions. Dans une forme de réalisation, ce transistor peut être utilisé dans des dispositifs à mémoire pour le stockage d'un bit par composant, cette mémoire étant permanente mais réinscriptible.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)