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1. (WO2005015648) PROCEDE DE FORMATION DE DEPOLI SUR UN SUBSTRAT, ET PHOTOEMETTEUR SEMI-CONDUCTEUR AU TRINITRURE UTILISANT CE SUBSTRAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/015648    N° de la demande internationale :    PCT/KR2004/002029
Date de publication : 17.02.2005 Date de dépôt international : 12.08.2004
CIB :
H01L 21/46 (2006.01), H01L 33/22 (2010.01)
Déposants : EPIVALLEY CO., LTD. [KR/KR]; 51-2 Neungpyeong-ri, Opo-eup, Kwangju-si, Kyunggi-do 464-892 (KR) (Tous Sauf US).
KIM, Chang, Tae [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : KIM, Chang, Tae; (KR)
Mandataire : AN, Sang, Jeong; 512-1906, 221, Gumi-dong, Bundang-gu, Seongnam-si, Kyunggi-do 463-715 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2003-0055906 12.08.2003 KR
10-2004-0040519 03.06.2004 KR
Titre (EN) METHOD OF FORMING GRATING ON SUBSTRATE AND III-NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE USING THE SUBSTRATE
(FR) PROCEDE DE FORMATION DE DEPOLI SUR UN SUBSTRAT, ET PHOTOEMETTEUR SEMI-CONDUCTEUR AU TRINITRURE UTILISANT CE SUBSTRAT
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a method of manufacturing a substrate for use in a III-nitride semiconductor light emitting device and a III-nitride semiconductor light emitting device using the substrate, provides for a III-nitride semiconductor light emitting device including a substrate on which a light emitting unit having an active layer that generates light through recombination of electrons and holes is epitaxially grown, wherein the substrate comprises at least one grating on the surface on which the light emitting unit is epitaxially grown, and the grating includes a sidewall, and the sidewall includes a step and a method of manufacturing the substrate, thereby can increase the external quantum efficiency of the light emitting device.
(FR)La présente invention concerne, d'une part un procédé de fabrication d'un substrat destiné à un dispositif photoémetteur semi-conducteur au trinitrure, et d'autre part un dispositif photoémetteur semi-conducteur au trinitrure utilisant ce substrat. L'invention concerne également un dispositif photoémetteur semi-conducteur au trinitrure incluant un substrat équipé d'une unité photoémettrice à couche obtenue par croissance épitaxiale. Cette couche produit de la lumière par recombinaison d'électrons et de trous. En l'occurrence, le substrat comprend au moins un dépoli sur la surface sur laquelle l'unité photoémettrice résulte d'une croissance épitaxiale. Enfin, ce dépoli comporte une paroi latérale définissant une marche d'escalier. L'invention concerne aussi un procédé de fabrication du substrat. L'invention permet ainsi d'augmenter le rendement quantique externe du dispositif photoémetteur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : coréen (KO)