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1. (WO2005015647) MICRO-DIODE ELECTROLUMINESCENTE AU NITRURE A HAUTE BRILLANCE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/015647    N° de la demande internationale :    PCT/KR2003/001600
Date de publication : 17.02.2005 Date de dépôt international : 08.08.2003
CIB :
H01L 33/06 (2010.01), H01L 21/30 (2006.01), H01L 33/08 (2010.01), H01L 33/10 (2010.01), H01L 33/12 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01), H01L 33/42 (2010.01), H01L 33/44 (2010.01)
Déposants : VICHEL INC. [KR/KR]; 3Fl. Jang Bldg. 92-6, Yangjae1-dong, Seocho-gu, Seoul 137-890 (KR) (Tous Sauf US).
KANG, Sang-kyu [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : KANG, Sang-kyu; (KR)
Mandataire : KIM, Dong-Jin; Marcopolo Bldg 3F, 720-20 Yeoksam-Dong, Gangnam-gu, Seoul 135-080 (KR)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) NITRIDE MICRO LIGHT EMITTING DIODE WITH HIGH BRIGHTNESS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
(FR) MICRO-DIODE ELECTROLUMINESCENTE AU NITRURE A HAUTE BRILLANCE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a nitride micro light emitting diode (LED) with high brightness and a method of manufacturing the same. The present invention provides a nitride micro LED with high brightness and a method of manufacturing the same, wherein a plurality of micro-sized luminous pillars 10 are formed in a substrates, a gap filling material such as SiO2, Si3N4, DBR(ZrO2/SiO2 HfO2/SiO2), polyamide or the like is filled in gaps between the micro-sized luminous pillars, a top surface 11 of the luminous pillar array and the gap filling material is planarized through a CMP processing, and then a transparent electrode 6 having a large area is formed thereon, so that all the luminous pillars can be driven at the same time. In addition, the present invention provides a nitride micro LED with high brightness in which uniformity in formation of electrodes on the micro-sized luminous pillars array is enhanced by employing a flip-chip structure.
(FR)L'invention concerne une micro-diode électroluminescente (DEL) au nitrure à haute brillance ainsi qu'un procédé permettant de la fabriquer. Elle concerne une micro DEL au nitrure et un procédé de fabrication de cette micro DEL. Plusieurs colonnes (10) lumineuses de l'ordre du micron sont formées sur un substrat. Un matériau de remplissage d'espaces, tel que SiO2, Si3N4, DBR(ZrO2/SiO2 HfO2/SiO2), polyamide ou analogue est versé dans les espaces entre lesdites colonnes. Une surface supérieure (11) du réseau de colonnes et le matériau de remplissage sont planarisés par un traitement CMP, sur lesquels on forme ensuite une électrode transparente (6) présentant une grande surface. ; Ainsi, toutes les colonnes lumineuses peuvent être entraînées simultanément. De plus, l'invention concerne une micro DEL au nitrure à haute brillance, où l'uniformité au niveau de la formation des électrodes sur le réseau de colonnes lumineuses de l'ordre du micron est renforcée par l'utilisation d'une structure par puce à protubérances.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)