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1. (WO2005015629) PROCEDE DE PRODUCTION D'UN CONTACT ET COMPOSANT ELECTRONIQUE COMPRENANT DES CONTACTS DE CE TYPE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/015629    N° de la demande internationale :    PCT/DE2004/001294
Date de publication : 17.02.2005 Date de dépôt international : 19.06.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    24.05.2005    
CIB :
H01L 21/265 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/10 (2006.01), H01L 29/47 (2006.01), H01L 29/66 (2006.01)
Déposants : FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH [DE/DE]; Wilhelm-Johnen-Strasse, 52425 Jülich (DE) (Tous Sauf US).
MANTL, Siegfried [AT/DE]; (DE) (US Seulement).
ZHAO, Qing-Tai [CN/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : MANTL, Siegfried; (DE).
ZHAO, Qing-Tai; (DE)
Représentant
commun :
FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH; Fachbereich Patente, 52425 Jülich (DE)
Données relatives à la priorité :
103 34 353.9 25.07.2003 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES KONTAKTES UND ELEKTRO­NISCHE BAUELEMENT, UMFASSEND DERARTIGE KONTAKTE
(EN) METHOD FOR PRODUCING A CONTACT AND ELECTRONIC COMPONENT COMPRISING SAID TYPE OF CONTACT
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D'UN CONTACT ET COMPOSANT ELECTRONIQUE COMPRENANT DES CONTACTS DE CE TYPE
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung passivierter Grenzflächen (6a, 6b) zwischen einer ersten Schicht, wie einem Silizid (5) und einer angrenzenden Schicht. Während des Verfahrens werden Passivierungselemente, wie S, Se, Te, in diese Schichtstruktur eingebracht und während einer Temperaturbehandlung an mindestens einer Grenzfläche der ersten Schicht zur angrenzenden Schicht angerei­chert. Dadurch gelingt es Schottky-Barrieren zu redu­zieren und die Austrittsarbeit der Übergänge einzustel­len. Bauelemente, z. B. Schottky-Barrieren MOSFETs mit klei­nen oder gar negativen Schottky-Barrieren als Source­- und / oder Drain-Kontakten und Spintransistoren sind offenbart.
(EN)The invention relates to a method for the production of passivated defining surfaces (6a, 6b) between a first layer, such as a silicide (5), and an adjacent layer. Passivating elements, such as S, Se and Te are used in said layer structure during said method and the first layer is enriched on the adjacent layer during heat treatment on at least one defining surface. Schottky barriers can be reduced and output work of the transition can be adjusted. Components, e.g. Schottky barrier MOSFETs with small or negative Schottky barriers are disclosed as source and/or drain contacts and spin transistors.
(FR)L'invention concerne un procédé de production de surfaces limites passivées (6a, 6b) entre une première couche, telle qu'un siliciure (5), et une couche adjacente. Au cours de ce procédé, des éléments de passivation, tels que S, Se, Te, sont introduits dans cette structure en couches, puis ils sont concentrés par un traitement thermique au niveau d'au moins une surface limite de la première couche en direction de la couche adjacente. Ce procédé permet de réduire les barrières de Schottky et de définir le travail de sortie des jonctions. L'invention concerne également des composants, tels que des transistors à effet de champ MOS à barrières de Schottky comprenant des barrières de Schottky réduites ou même négatives comme contacts de source et/ou de drain, ainsi que des transistors de spin.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)