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1. (WO2005015573) PATE CONDUCTRICE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/015573    N° de la demande internationale :    PCT/JP2004/010286
Date de publication : 17.02.2005 Date de dépôt international : 13.07.2004
CIB :
H01B 1/22 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome Chuo-ku, Osaka-shi Osaka 541-0041 (JP) (Tous Sauf US).
YAMAKAWA, Masahiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SHIMODA, Kohei [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : YAMAKAWA, Masahiro; (JP).
SHIMODA, Kohei; (JP)
Mandataire : NAKANO, Minoru; c/o Sumitomo Electric Industries, Ltd. 1-3, Shimaya 1-chome Konohana-ku, Osaka-shi Osaka 554-0024 (JP)
Données relatives à la priorité :
2003-289607 08.08.2003 JP
Titre (EN) CONDUCTIVE PASTE
(FR) PATE CONDUCTRICE
(JA) 導電性ペースト
Abrégé : front page image
(EN)A conductive paste is disclosed which exhibits high conductivity even when sintered at 500˚C or less and enables to form a thick film on a base without forming an interference fringe or a crack in the base. The conductive paste mainly contains a metal powder, a glass frit and an organic vehicle. The metal powder is composed of 50-99 weight% of spherical particles having an average primary particle diameter of 0.1-1 μm and 1-50 weight% of spherical particles having an average primary particle diameter of 50 nm or less. The glass frit is contained in the conductive paste in an amount of 0.1-15 weight% relative to the total weight of the glass frit and the metal powder. Preferably, the glass frit contains no lead, has a working temperature of 500˚C or less, and has an average particle diameter of 2 μm. This conductive paste is often printed and sintered on a substrate for forming an electrical circuit on the substrate.
(FR)L'invention concerne une pâte conductrice qui présente une conductivité élevée même lorsqu'elle est frittée à 500 ° ou moins et qui peut former un film épais sur une base sans frange d'interférence ou fissure dans ladite base. Cette pâte conductrice contient pour l'essentiel une poudre métallique, une fritte de verre et un véhicule organique. La poudre métallique est constituée à 50-90% en poids de particules sphériques dont le diamètre primaire moyen est de 0, 1-1$g(m)m et à 1.50% de particules sphériques dont le diamètre primaire moyen est de 50 nm ou moins. La fritte de verre représente de 1 à 15 % en poids de la pâte conductrice par rapport au poids total de la fritte de verre et de la poudre métallique. De préférence, la fritte de verre est exempte de plomb, a une température de travail de 500 °C ou moins, pour un diamètre moyen des particules de 2$g(m)m. Cette pâte conductrice est souvent imprimée ou frittée sur un substrat pour y former un circuit électrique.
(JA)not available
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)