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1. (WO2005015310) SYSTEME D'ECLAIRAGE POUR UN APPAREIL D'EXPOSITION PAR PROJECTION MICROLITHOGRAPHIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/015310    N° de la demande internationale :    PCT/EP2004/007926
Date de publication : 17.02.2005 Date de dépôt international : 15.07.2004
CIB :
G03F 7/20 (2006.01)
Déposants : CARL ZEISS SMT AG [DE/DE]; Carl-Zeiss-Strasse 22, 73447 Oberkochen (DE) (Tous Sauf US).
DEGÜNTHER, Markus [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
MAUL, Manfred [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
FIOLKA, Damian [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : DEGÜNTHER, Markus; (DE).
MAUL, Manfred; (DE).
FIOLKA, Damian; (DE)
Mandataire : SCHWANHÄUSSER, Gernot; Ostertag & Partner, Eibenweg 10, 70597 Stuttgart (DE)
Données relatives à la priorité :
60/487,709 16.07.2003 US
60/487,708 16.07.2003 US
60/548,123 26.02.2004 US
Titre (EN) ILLUMINATION SYSTEM FOR A MICROLITHOGRAPHIC PROJECTION EXPOSURE APPARATUS
(FR) SYSTEME D'ECLAIRAGE POUR UN APPAREIL D'EXPOSITION PAR PROJECTION MICROLITHOGRAPHIQUE
Abrégé : front page image
(EN)An illumination system for a microlithographic projection exposure apparatus includes a light source (12) for generating a projection light beam, a first objective (20) and a masking system (38, 52) for masking a reticle (30). The masking system (38, 52) includes adjustable first blades (40) for masking in a first spatial direction (X) and adjustable second blades (54, 56) for masking in a second spatial direction (Y). The first blades (40) are arranged in the region of a first field plane (36) and the second blades (54, 56) are arranged in the region of the second field plane (44) which are different to the first field plane (36). The masking system can therefore be made spatially less concentrated, whereby constructional difficulties in the region of the field plane before the masking objective resulting from space requirement problems are reduced. A further contribution is made to solving the space requirement problem if an attenuation system for achieving the most uniform possible light intensity in the wafer plane (122) includes a transmission filter (162) which has locally varying transmissivity and can be moved synchronously with traversing movements of the reticle (30).
(FR)L'invention concerne un système d'éclairage pour un appareil d'exposition par projection microlithographique. Ledit système comprend une source de lumière (12) destinée à générer une faisceau lumineux de projection, un premier objectif (20) et un système de masquage (38, 52) destiné à masquer un réticule (30). Le système de masquage (38, 52) comprend des premières lames réglables (40) destinées au masquage dans une première direction spatiale (X) et des secondes lames réglables (54, 56) destinées au masquage dans une seconde direction spatiale (Y). Les premières lames (40) sont disposées dans la zone d'un premier plan de champ (36) et les secondes lames (54, 56) sont disposées dans la zone d'un second plan de champ (44) qui est différent du premier plan de champ (36). Le système de masquage peut par conséquent être rendu spatialement moins concentré, les difficultés de construction dans la zone du plan de champ situé avant l'objectif de masquage liées à des problèmes de besoin d'espace étant ainsi réduites. Ledit système permet également de résoudre le problème de besoin d'espace si un système d'affaiblissement permettant d'obtenir l'intensité lumineuse la plus uniforme possible dans le plan de la plaquette (122) comprend un filtre de transmission (162) qui présente une transmissivité variant localement et qui peut être déplacé de manière synchrone avec des mouvement de direction du réticule (30).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)