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1. (WO2005014898) PROCEDE DE FABRICATION D'UNE PLAQUETTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/014898    N° de la demande internationale :    PCT/JP2004/011145
Date de publication : 17.02.2005 Date de dépôt international : 04.08.2004
CIB :
C30B 29/06 (2006.01), C30B 33/02 (2006.01)
Déposants : Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. [JP/JP]; 4-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP) (Tous Sauf US).
KOBAYASHI, Takeshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KOBAYASHI, Takeshi; (JP)
Mandataire : YOSHIMIYA, Mikio; Uenosansei Bldg. 4F, 6-4, Motoasakusa 2-chome, Taito-ku, Tokyo 1110041 (JP)
Données relatives à la priorité :
2003-292558 12.08.2003 JP
2003-292539 12.08.2003 JP
2003-292596 12.08.2003 JP
Titre (EN) PROCESS FOR PRODUCING WAFER
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UNE PLAQUETTE
(JA) ウエーハの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A process for producing a wafer, comprising at least the BMD formation step of subjecting a silicon single crystal having the form of an ingot to heat treatment to thereby form bulk microdefects (BMD) in the interior thereof, and the wafer machining step of machining the ingot furnished with the bulk microdefects (BMD) into a wafer. In this process for producing a wafer, the heat treatment for imparting IG capability in the wafer production can be shortened to thereby enable mass production of wafers of high IG capability. The process can further comprise the wafer heat treatment step of performing heat treatment of wafers after machining and the epitaxial growth step of forming an epitaxial layer on each of the wafers with the result that the productivity of, excelling in gettering effect, anneal wafers and epitaxial wafers can be enhanced.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'une plaquette comportant au moins l'étape de formation de micro-défauts grossiers (BMD) consistant à soumettre un monocristal de silicium ayant la forme d'un lingot, à un traitement thermique de manière à former des micro-défauts grossiers (BMD) à l'intérieur du monocristal, et l'étape d'usinage de plaquette consistant à usiner le lingot comportant des micro-défauts grossiers de manière à former une plaquette. Selon l'invention, il est possible de raccourcir le traitement thermique visant à conférer un pouvoir de getterisation intrinsèque (IG) aux plaquettes lors de la production des plaquettes de manière à permettre une production en masse de plaquettes ayant un pouvoir de getterisation intrinsèque (IG) élevé. Ledit procédé peut également comporter une étape de traitement thermique de la plaquette consistant à effectuer un traitement thermique de la plaquette après usinage, et l'étape de croissance épitaxiale consistant à former une couche épitaxiale sur chaque plaquette, de manière à augmenter la productivité de plaquettes de recuit et épitaxiales présentant un excellent effet de getterisation.
(JA) ウエーハの製造方法であって、少なくとも、インゴット状態のシリコン単結晶に熱処理を行ない内部に内部微小欠陥(BMD)を形成するBMD形成工程と、前記内部微小欠陥(BMD)を形成したインゴットをウエーハに加工するウエーハ加工工程を有するウエーハの製造方法。これにより、ウエーハの製造でIG能力を付与するための熱処理が短縮でき、IG能力の高いウエーハを大量に生産することができるウエーハの製造方法が提供される。さらに、加工後のウエーハを熱処理するウエーハ熱処理工程を有し、あるいは、ウエーハ上にエピタキシャル層を形成するエピタキシャル成長工程を有することもでき、これにより、ゲッタリング効果の優れたアニールウエーハやエピタキシャルウエーハの生産性が向上する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)