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1. (WO2005014897) PROCEDE DE FABRICATION DE BOITES QUANTIQUES DE NITRURE D'INDIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/014897    N° de la demande internationale :    PCT/IB2003/004655
Date de publication : 17.02.2005 Date de dépôt international : 22.10.2003
CIB :
C30B 25/02 (2006.01)
Déposants : CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (C.N.R.S.) [FR/FR]; 3, rue Michel Ange, F-75016 Paris (FR).
UNIVERSITE DE MONTPELLIER II [FR/FR]; Place E. Bataillon, F-34095 Montpellier Cedex 05 (FR)
Inventeurs : BRIOT, Olivier; (FR).
GIL, Bernard; (FR).
RUFFENACH, Sandra; (FR)
Mandataire : FRECHEDE, Michel; cabinet Lavoix, 2, Place d'Estienne d'Orves, F-75441 Paris Cedex 09 (FR)
Données relatives à la priorité :
60/493,452 08.08.2003 US
Titre (EN) METHOD TO MANUFACTURE INDIUM NITRIDE QUANTUM DOTS
(FR) PROCEDE DE FABRICATION DE BOITES QUANTIQUES DE NITRURE D'INDIUM
Abrégé : front page image
(EN)The invention concerns a method for manufacturing sizeable quantum dots of Indium Nitride in which a layer of Indium Nitride is grown onto a layer of crystalline buffer. The crystalline buffer is chosen with a lattice structure similar to the lattice structure of Indium Nitride and with the lattice mismatch between Indium Nitride and the crystalline buffer being greater than 5%. During the growth of Indium Nitride, surface strains are produced by the crystalline buffer, allowing the Indium Nitride to self-organise onto the crystalline buffer so as to form a plurality of sizeable quantum dots.
(FR)L'invention se rapporte à un procédé de fabrication de boîtes quantiques de nitrure d'indium, de taille importante, selon lequel une couche de nitrure d'indium est mise en croissance sur une couche d'un tampon cristallin. Le tampon cristallin est choisi de telle sorte qu'il présente une structure maillées analogue à celle du nitrure d'indium, le désaccord de maille entre le nitrure d'indium et le tampon cristallin étant supérieur à 5 %. Au cours de la croissance du nitrure d'indium, des contraintes de surface sont engendrées par le tampon cristallin, ce qui permet au nitrure d'indium de s'auto-assembler sur le tampon cristallin pour former une pluralité de boîtes quantiques de taille importante.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)