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1. (WO2005014896) PROCEDE DE FORMATION DE COUCHE A CROISSANCE EPITAXIALE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/014896    N° de la demande internationale :    PCT/EP2004/007578
Date de publication : 17.02.2005 Date de dépôt international : 07.07.2004
CIB :
C30B 33/00 (2006.01), H01L 21/762 (2006.01)
Déposants : S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES [FR/FR]; Parc Technologique des Fontaines, Chemin des Franques, F-38190 Bernin (FR) (Tous Sauf US).
LETERTRE, Fabrice [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
FAURE, Bruce [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : LETERTRE, Fabrice; (FR).
FAURE, Bruce; (FR)
Mandataire : CABINET REGIMBEAU; Espace Performance, Bâtiment K, F-35769 Saint Grégoire Cedex (FR)
Données relatives à la priorité :
03 09079 24.07.2003 FR
Titre (EN) A METHOD OF FABRICATING AN EPITAXIALLY GROWN LAYER
(FR) PROCEDE DE FORMATION DE COUCHE A CROISSANCE EPITAXIALE
Abrégé : front page image
(EN)The invention concerns a method of fabricating an epitaxially grown layer (6), an epitaxy support (9,9') and its method of fabricating. This method is remarkable in that it comprises the following steps consisting in : a) implanting atomic species within a support substrate (1) to define therein a zone of weakness which demarcates a thin support layer (13) from the remainder (11) of said substrate ; b) transferring onto said thin layer (13) a thin nucleation layer (23) ; c) detaching said remainder (11) along said zone of weakness, but while maintaining the thin support layer (13) in contact with said remainder (11) ; d) growing said epitaxially grown layer (6) by epitaxy on said nucleation layer (23); and e) moving away the remainder (11) from the thin support layer (13). Application to the field of optics, opto-electronics, or electronics.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation d'une couche à croissance épitaxiale (6), un support d'épitaxie (9, 9'), ainsi qu'un procédé de fabrication associé. Le procédé selon l'invention se caractérise en ce qu'il consiste : (a) à implanter des espèces atomiques à l'intérieur d'un substrat support (1) afin de définir sur ledit substrat une zone de faiblesse démarquant une fine couche de support (13) du reste (11) du substrat ; (b) à transférer sur ladite couche fine (13) une fine couche de nucléation (23) ; (c) à détacher le reste (11) du substrat le long de la zone de faiblesse, tout en maintenant la fine couche de support (13) en contact avec le reste (11) du substrat ; (d) à former ladite couche à croissance épitaxiale (6) au moyen d'une épitaxie sur la couche de nucléation (23) ; et (e) à éloigner le reste (11) du substrat de la fine couche de support (13). La présente invention a des applications en optique, en optoélectronique et en électronique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)