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1. (WO2005014885) ELECTRODE DESTINEE A DES PROCEDES ELECTROCHIMIQUES ET PROCEDE DE PRODUCTION DE CELLE-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/014885    N° de la demande internationale :    PCT/EP2004/008397
Date de publication : 17.02.2005 Date de dépôt international : 27.07.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    27.05.2005    
CIB :
C23C 18/12 (2006.01)
Déposants : DE NORA ELETTRODI S.P.A. [IT/IT]; Via Dei Canzi, 1, I-20134 Milano (IT) (Tous Sauf US).
MOROZOV, Alexander [RU/RU]; (RU) (US Seulement).
DE BATTISTI, Achille [IT/IT]; (IT) (US Seulement).
FERRO, Sergio [IT/IT]; (IT) (US Seulement).
MARTELLI, Gian, Nicola [IT/IT]; (IT) (US Seulement)
Inventeurs : MOROZOV, Alexander; (RU).
DE BATTISTI, Achille; (IT).
FERRO, Sergio; (IT).
MARTELLI, Gian, Nicola; (IT)
Mandataire : MÜLLER, Uwe, J.; Reitstötter, Kinzebach & Partner (GbR), Sternwartstrasse 4, 81679 München (DE)
Données relatives à la priorité :
MI 2003 A001543 28.07.2003 IT
Titre (EN) ELECTRODE FOR ELECTROCHEMICAL PROCESSES AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
(FR) ELECTRODE DESTINEE A DES PROCEDES ELECTROCHIMIQUES ET PROCEDE DE PRODUCTION DE CELLE-CI
Abrégé : front page image
(EN)An electrode for electrochemical processes with tin dioxide-containing catalytic coating is prepared starting from a precursor solution comprising tin (IV) hydroxychlorides. The process of deposition of tin dioxide is characterized by a high yield and an improved reproducibility.
(FR)L'invention concerne une électrode destinée à des procédés électrochimiques et présentant un revêtement catalytique renfermant du dioxyde d'étain. Cette électrode est préparée à partir d'une solution de précurseur renfermant des hydroxychlorues d'étain (IV). Le procédé de déposition de dioxyde d'étain est caractérisé en ce qu'il produit un rendement élevé et améliore la reproductibilité.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)