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1. (WO2005013385) PROCEDE DE FABRICATION DE DISPOSITIFS DE DETECTION DE CHAMPS MAGNETIQUES ET DISPOSITIFS ASSOCIES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/013385    N° de la demande internationale :    PCT/IB2004/002543
Date de publication : 10.02.2005 Date de dépôt international : 30.07.2004
CIB :
G01R 33/06 (2006.01), H01F 10/32 (2006.01), H01F 41/30 (2006.01), H01L 43/10 (2006.01), H01L 43/12 (2006.01)
Déposants : C.R.F. SOCIETÀ CONSORTILE PER AZIONI [IT/IT]; Strada Torino, 50, I-10043 Orbassano (IT) (Tous Sauf US).
PULLINI, Daniele [IT/IT]; (IT) (US Seulement).
MARTORANA, Brunetto [IT/IT]; (IT) (US Seulement).
PERLO, Piero [IT/IT]; (IT) (US Seulement)
Inventeurs : PULLINI, Daniele; (IT).
MARTORANA, Brunetto; (IT).
PERLO, Piero; (IT)
Mandataire : NOTARO, Giancarlo; Buzzi, Notaro & Antonielli d'Oulx S.r.l., Via Maria Vittoria 18, I-10123 Torino (IT)
Données relatives à la priorité :
TO2003A000604 05.08.2003 IT
TO2003A000605 05.08.2003 IT
TO2003A000727 23.09.2003 IT
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETIC FIELD DETECTION DEVICES AND DEVICES THREFROM
(FR) PROCEDE DE FABRICATION DE DISPOSITIFS DE DETECTION DE CHAMPS MAGNETIQUES ET DISPOSITIFS ASSOCIES
Abrégé : front page image
(EN)A method for manufacturing magnetic field detection devices is described, said method comprising the operations of manufacturing a magneto-resistive. element (10, 20) comprising regions with metallic conduction (13, 23) and regions with semi-conductive conduction (11, 31). Said method comprises the following operations: - forming metallic nano-particles (37) to obtain said regions with metallic conduction (13, 23); - providing a semiconductor substrate (31); - applying said metallic nano-particles (37) to said semiconductor substrate (31) to obtain a disordered mesoscopic structure. A magnetic device is also described, comprising a spin valve, said spin valve (110) comprising a plurality of layers (111, 112, 113, 114, 115, 116, 117) arranged in a stack which in turn comprises at least one free magnetic layer (111) able to be associated to a temporary magnetisation (MT), a spacer layer (133) and a permanent magnetic layer (112) associated to a permanent magnetisation (MP). The spacer element (133) is obtained by means of a mesoscopic structure of nanoparticles in a metallic matrix produced in accordance with the method for manufacturing magnetoresistive elements of the invention.
(FR)Procédé de fabrication de dispositifs de détection de champs magnétiques, comportant les étapes consistant à fabriquer un élément magnétorésistif (10; 20) comportant des régions à conductivité métallique (13; 23) et des régions à conductivité semi-conductrice (11; 31). Ledit procédé comporte les étapes suivantes: on produit des nanoparticules métalliques (37) pour former lesdites régions à conductivité métallique (13; 23); on prévoit un substrat semi-conducteur (31); et on applique lesdites nanoparticules métalliques (37) sur ledit substrat semi-conducteur (31) pour produire une structure mésoscopique désordonnée. L'invention concerne également un dispositif magnétique comportant une valve de spin (110) contenant une pluralité de couches (111, 112, 113, 114, 115, 116, 117) disposées en une pile qui comporte à son tour au moins une couche magnétique libre (111) pouvant présenter une magnétisation temporaire (MT), une couche d'écartement (133) et une couche magnétique permanente (112) présentant une magnétisation permanente (MP). L'élément d'écartement (133) est obtenu au moyen d'une structure mésoscopique de nanoparticules dans une matrice métallique produite selon le procédé de fabrication des éléments magnétorésistifs selon l'invention.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : italien (IT)