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1. (WO2005013376) CAPTEUR MAGNETIQUE A SEMICONDUCTEUR ET INSTRUMENT DE MESURE DU MAGNETISME L'UTILISANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/013376    N° de la demande internationale :    PCT/JP2004/010967
Date de publication : 10.02.2005 Date de dépôt international : 30.07.2004
CIB :
G01R 33/06 (2006.01), H01L 29/82 (2006.01)
Déposants : KIMURA, Mitsuteru [JP/JP]; (JP)
Inventeurs : KIMURA, Mitsuteru; (JP)
Mandataire : SAKAI, Hiroaki; Sakai International Patent Office Kasumigaseki Building 2-5, Kasumigaseki 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-6019 (JP)
Données relatives à la priorité :
2003-205199 31.07.2003 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR MAGNETIC SENSOR AND MAGNETISM MEASURING INSTRUMENT USING SAME
(FR) CAPTEUR MAGNETIQUE A SEMICONDUCTEUR ET INSTRUMENT DE MESURE DU MAGNETISME L'UTILISANT
(JA) 半導体磁気センサとこれを用いた磁気計測装置
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor magnetic sensor which has an ultrasmall size, consumes small power, hardly varies with time, has a high sensitivity, and can have various integrated circuits, and a compact magnetism measuring instrument mounted with the semiconductor magnetic sensor. The semiconductor magnetic sensor has a bipolar or MOS transistor structure. A recombination region (R) is formed in the region corresponding to the base of the structure. The recombination rate of the minority carries injected into the base is varied by the Lorentz force due to an external magnetic field (H), and the strength and direction of the external magnetic field (H) are measured from the variation of the collector or drain current. If the recombination region (R) is of a type using a p-n junction, the recombination rate of the minority carriers can be also controlled by applying a bias voltage.
(FR)L'invention concerne un capteur magnétique à semiconducteur de taille ultra petite, à faible consommation de courant, ne se modifiant pratiquement pas dans le temps, présentant une grande sensibilité et pouvant posséder divers circuits intégrés. L'invention porte également sur un instrument de mesure du magnétisme compact monté avec ledit capteur magnétique à semiconducteur. Ledit capteur magnétique à semiconducteur possède une structure à transistor bipolaire ou MOS. Une zone de recombinaison (R ) est formée dans la zone correspondant à la base de la structure. La vitesse de recombinaison des porteurs minoritaires injectés dans la base est modifiée par la force de Lorentz grâce à un champ magnétique externe (H), et l'intensité et la direction du champ magnétique externe (H) sont mesurées à partir de la variation du courant de drain ou du courant collecteur. Si la zone de recombinaison (R ) est du type de celle utilisant une jonction PN, la vitesse de recombinaison des porteurs minoritaires peut également être modulée par l'application d'une tension de polarisation.
(JA) 超小型、低消費電力、経時変化の極めて少なく、高感度であり、各種回路を集積可能な半導体磁気センサと、これを搭載するコンパクトな磁気計測装置を提供する。バイポーラ又はMOS型のトランジスタ構造とし、このベースに対応する領域に再結合領域Rを設け、ベースに注入された少数キャリアを外部磁場Hによるローレンツ力で、再結合割合を変化させるようにして、コレクタ又はドレインの電流の変化から、外部磁場Hの大きさと方向を計測できるようにする。pn接合を利用した再結合領域Rでは、バイアス電圧の印加により少数キャリアの再結合割合も調整できるようにする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)