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1. (WO2005013372) DISPOSITIF D'INJECTION DE SPIN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/013372    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/024266
Date de publication : 10.02.2005 Date de dépôt international : 27.07.2004
CIB :
H01L 21/00 (2006.01), H01L 29/66 (2006.01)
Déposants : HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P. [US/US]; 20555 S.H. 249, Houston, TX 77070 (US) (Tous Sauf US).
OSIPOV, Viatcheslav, V. [RU/US]; (US) (US Seulement).
BRATKOVSKI, Alexandre, M. [RU/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : OSIPOV, Viatcheslav, V.; (US).
BRATKOVSKI, Alexandre, M.; (US)
Mandataire : LEE, Denise, A.; Hewlett-Packard Company, Intellectual Property Administration, P O Box 272400, Fort Collins, CO 80527-2400 (US)
Données relatives à la priorité :
10/631,999 30.07.2003 US
Titre (EN) SPIN INJECTION DEVICES
(FR) DISPOSITIF D'INJECTION DE SPIN
Abrégé : front page image
(EN)Devices such as transistors, amplifiers, frequency multipliers, and square-law detectors use injection of spin-polarized electrons from one magnetic region (220), into another (240) through a control region (230) and spin precession of injected electrons in a magnetic field induced by current in a nanowire (210). In one configuration, the nanowire (110) is also one of the magnetic regions and the control region (120) is a semiconductor region between the magnetic nanowire (110) and the other magnetic region (130). Alternatively, the nanowire (210) is insulated from the control region (230) and the two separate magnetic regions (220, 240). The relative magnetizations of the magnetic regions (220,240) can be selected to achieve desired device properties. A first voltage applied between one magnetic region (240) and the other magnetic nanowire (110) or region (220) causes injection of spin-polarized electrons through the control region (120 or 230), and a second voltage applied between the ends of the nanowire (110 or 210) causes a current and a magnetic field that rotates electron spins to control device conductivity.
(FR)L'invention concerne des dispositifs, tels que des transistors, des amplificateurs, des multiplicateurs de fréquence, et des détecteurs quadratiques, à injection d'électrons polarisés en spin d'une zone magnétique (220) dans une autre (240) par l'intermédiaire d'une zone (230) de commande, et à précession de spin des électrons injectés dans un champ magnétique induit par un courant dans un nanocâble (210). Dans une configuration, le nanocâble (110) constitue également l'une des zones magnétiques, et la zone (120) de commande est une zone semi-conductrice entre le nanocâble magnétique (110) et l'autre zone magnétique (130). En variante, le nanocâble (210) est isolé de la zone (230) de commande et des deux zones magnétiques séparées (220, 240). Les magnétisations relatives des zones magnétiques (220,240) peuvent être sélectionnées afin d'obtenir des propriétés désirées pour le dispositif. Une première tension appliquées entre une zone magnétique (240) et l'autre nanocâble (110) ou zone (220) magnétique entraîne l'injection des électrons polarisés en spin dans la zone (120 ou 230) de commande, et une seconde tension appliquée entre les extrémités du nanocâble (110 ou 210) génère un courant et un champ magnétique provoquant la rotation des spins électroniques afin de régler la conductivité du dispositif.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)