WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2005013343) APPAREIL ET PROCEDE DE DEPOT PAR EVAPORATION SOUS VIDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/013343    N° de la demande internationale :    PCT/JP2004/006007
Date de publication : 10.02.2005 Date de dépôt international : 26.04.2004
CIB :
H01L 21/687 (2006.01)
Déposants : SHIN-ETSU HANDOTAI CO., ltd. [JP/JP]; 4-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP) (Tous Sauf US).
KANAYA, Koichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OTSUKA, Toru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KANNO, Takao [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KANAYA, Koichi; (JP).
OTSUKA, Toru; (JP).
KANNO, Takao; (JP)
Mandataire : ARAFUNE, Hiroshi; c/o KOYO INTERNATIONAL PATENT AND LAW FIRM, 5F., Nikko Kagurazaka Bldg., 18, Iwatocho, Shinjuku-ku, Tokyo 1620832 (JP)
Données relatives à la priorité :
2003-284912 01.08.2003 JP
Titre (EN) VAPOR DEPOSITION APPARATUS AND VAPOR DEPOSITION METHOD
(FR) APPAREIL ET PROCEDE DE DEPOT PAR EVAPORATION SOUS VIDE
(JA) 気相成長装置及び気相成長方法
Abrégé : front page image
(EN)A vapor deposition apparatus for vapor-depositing a silicon epitaxial layer on a major surface of a silicon single crystal substrate while heating both sides of the silicon single crystal substrate mounted on a spot-faced portion formed on a susceptor, wherein the spot-faced portion has an outside part supporting the back of the silicon single crystal substrate and an inside part provided inside the outside part and recessed more deeply than the outside part, and the susceptor has a longitudinal cross section curved in an inverted-U shape.
(FR)L'invention concerne un appareil de dépôt par évaporation sous vide conçu pour déposer par évaporation sous vide une couche épitaxiale de silicium sur une grande surface d'un substrat monocristallin de silicium, lequel substrat, dont les deux côtés sont chauffés, est monté sur une partie lamée formée sur un suscepteur, la partie lamée présentant un élément externe supportant le dos du substrat monocristallin de silicium et un élément interne placé dans l'élément externe et évidé plus profondément que celui-ci, et le suscepteur présentant une section transversale incurvée en forme de U inversé.
(JA) サセプタに形成された座ぐり上に載置したシリコン単結晶基板を両面から加熱しつつ、該シリコン単結晶基板の主表面上にシリコンエピタキシャル層を気相成長させる気相成長装置において、前記座ぐりは、前記シリコン単結晶基板の裏面を支持する外周側部分と、前記外周側部分の内側に該外周側部分よりも窪んだ状態に保たれた内周側部分とを有し、前記サセプタは、逆U字状に反った縦断面形状を有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)