WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2005013330) DISPOSITIF ANTI-FISSURES POUR DIELECTRIQUES A FAIBLE CONSTANTE DIELECTRIQUE (K)
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/013330    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/024228
Date de publication : 10.02.2005 Date de dépôt international : 28.07.2004
CIB :
H01L 21/301 (2006.01), H01L 23/28 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road, Armonk, NY 10504 (US) (Tous Sauf US).
DAUBENSPECK, Timothy, H. [US/US]; (US) (US Seulement).
GAMBINO, Jeffrey, P. [US/US]; (US) (US Seulement).
LUCE, Stephen, E. [US/US]; (US) (US Seulement).
MCDEVITT, Thomas, J. [US/US]; (US) (US Seulement).
MOTSIFF, William, T. [US/US]; (US) (US Seulement).
POULIOT, Mark, J. [US/US]; (US) (US Seulement).
ROBBINS, Jennifer, C. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : DAUBENSPECK, Timothy, H.; (US).
GAMBINO, Jeffrey, P.; (US).
LUCE, Stephen, E.; (US).
MCDEVITT, Thomas, J.; (US).
MOTSIFF, William, T.; (US).
POULIOT, Mark, J.; (US).
ROBBINS, Jennifer, C.; (US)
Mandataire : SABO, William, D.; International Business Machines Corporation, Intellectual Property Law -- Zip 972E, 1000 River Street, Essex Juction, VT 05452 (US)
Données relatives à la priorité :
10/604,517 28.07.2003 US
Titre (EN) CRACK STOP FOR LOW K DIELECTRICS
(FR) DISPOSITIF ANTI-FISSURES POUR DIELECTRIQUES A FAIBLE CONSTANTE DIELECTRIQUE (K)
Abrégé : front page image
(EN)A crack stop (28) for low K dielectric materials of an integrated circuit (IC) formed on an IC chip using metal interconnects which do not form a self-passivating oxide layer, such as copper or silver interconnects, in a low-K dielectric material to prevent damage to the active area of the IC chip caused by chipping and cracking formed along peripheral edges of the IC chip during a dicing operation. A moisture barrier or edge seal (12) is formed as a metal stack positioned along the outer peripheral edges of the active area of the IC chip. The crack stop is formed by at least one trench or groove positioned outside of the moisture barrier/edge seal on the outer periphery of the IC chip.
(FR)La présente invention se rapporte à un dispositif anti-fissures (28) destiné à des matériaux diélectriques à faible constante diélectrique (K) d'un circuit intégré (CI) formé sur une puce CI au moyen d'interconnexions métalliques qui ne forment pas une couche d'oxyde à autopassivation, telle que des interconnexions en cuivre ou en argent, dans un matériau diélectrique à faible K afin d'empêcher les dommages sur la surface active de la puce CI provoquées par les éclats et les fissures formés sur les bords périphériques de la puce CI lors d'une opération de découpage en dés. Une barrière contre l'humidité ou un joint de bord (12) est formé sous forme d'un empilement de métal positionné le long des bords périphériques externes de la surface active de la puce CI. Le dispositif anti-fissures est formé par au moins une tranchée ou une rainure positionnée à l'extérieur de la barrière contre l'humidité/joint de bord sur la périphérie externe de la puce CI.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)