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1. (WO2005013319) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR COMPORTANT UNE STRUCTURE DE BOSSE REDUISANT LA TENSION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/013319    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/022433
Date de publication : 10.02.2005 Date de dépôt international : 13.07.2004
CIB :
H01L 21/44 (2006.01), H01L 21/4763 (2006.01), H01L 21/302 (2006.01), H01L 21/31 (2006.01)
Déposants : FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West, Austin, TX 78735 (US) (Tous Sauf US).
WANG, James, Jen-Ho [US/US]; (US) (US Seulement).
JANG, Jin-Wook [KR/US]; (US) (US Seulement).
MENDOZA, Alfredo [US/US]; (US) (US Seulement).
RUNTON, Rajashi [US/US]; (US) (US Seulement).
SHUMWAY, Russell [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : WANG, James, Jen-Ho; (US).
JANG, Jin-Wook; (US).
MENDOZA, Alfredo; (US).
RUNTON, Rajashi; (US).
SHUMWAY, Russell; (US)
Mandataire : KING, Robert, L.; Corporate Law Department, Intellectual Property Section, 7700 West Parmer Lane, MD: TX32/PL02, Austin, TX 78729 (US)
Données relatives à la priorité :
10/631,102 31.07.2003 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE WITH STRAIN RELIEVING BUMP DESIGN
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR COMPORTANT UNE STRUCTURE DE BOSSE REDUISANT LA TENSION
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device (51) is provided. The device (51) comprises a die (53) having a contact pad (61) thereon, a redistribution conductor (59) having a base portion (64) which is in electrical communication with the contact pad (61) and a laterally extending portion (63), a bumped contact (65) which is in electrical communication with the redistribution conductor (59), and a passivation layer (57) disposed between the laterally extending portion (63) of the redistribution conductor (59) and the die (53). Preferably, the redistribution conductor (59) is convoluted and is adapted to peel or delaminate from the passivation layer (57) under sufficient stress so that it can shift relative to the passivation layer (57) and base portion (64) to relieve mechanical stress between substrate (69) and the die (53). Bump and coiled redistribution conductor (59) accommodating small CTE mis-match strain without failure allows DCA flip-chip to be reliable without underfill or additional assembly process.
(FR)La présente invention concerne un dispositif semi-conducteur (51). Le dispositif (51) comprend un dé (53) comportant une plage de contact (61), un conducteur de redistribution (59) présentant une partie de base (64) qui se trouve en communication électrique avec la plage de contact et une partie (63) s'étendant latéralement, un contact à bosse (65) qui se trouve en communication électrique avec le conducteur de redistribution (59) et une couche de passivation (57) située entre la partie (63) s'étendant latéralement du conducteur de redistribution (59) et le dé (53). De préférence, le conducteur de redistribution (59) est vrillé et prévu pour être épluché ou décollé de la couche de passivation (57) sous l'effet d'une contrainte suffisante de manière à ce qu'il se décale par rapport à la couche de passivation (57) et d'une partie de base (64) pour réduire la contrainte mécanique entre le substrat (69) et le dé (53). Le conducteur de redistribution (59) à bosse et vrillé supportant une faible contrainte de décalage du coefficient de dilatation thermique sans défaillance permet à une puce à bosse DCA d'être fiable sans manque de métal ni de processus d'assemblage additionnel.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)