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1. (WO2005013317) STRUCTURE SEMICONDUCTEUR-SUR-ISOLANT CONTRAINTE AYANT UNE TENUE DES CONTRAINTES AUX HAUTES TEMPERATURES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/013317    N° de la demande internationale :    PCT/FR2004/002018
Date de publication : 10.02.2005 Date de dépôt international : 28.07.2004
CIB :
H01L 21/762 (2006.01)
Déposants : S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES [FR/FR]; Parc Technologique des Fontaines, Chemin des Franques, F-38190 Bernin (FR) (Tous Sauf US).
GHYSELEN, Bruno [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
AULNETTE, Cécile [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
RAYSSAC, Olivier [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : GHYSELEN, Bruno; (FR).
AULNETTE, Cécile; (FR).
RAYSSAC, Olivier; (FR)
Mandataire : MARTIN, Jean-Jacques; Cabinet Regimbeau, 20, rue de Chazelles, F-75847 Paris Cedex 17 (FR)
Données relatives à la priorité :
03/09377 30.07.2003 FR
Titre (EN) STRESSED SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR STRUCTURE RESISTANT TO HIGH-TEMPERATURE STRESS
(FR) STRUCTURE SEMICONDUCTEUR-SUR-ISOLANT CONTRAINTE AYANT UNE TENUE DES CONTRAINTES AUX HAUTES TEMPERATURES
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a semiconductor-on-insulator structure, comprising a part which is made of a semiconductor material and a part which is made of an electrically insulating material, said materials being coupled to each other. Elastic stress is present in the semiconductor material. The part made of electrically insulating material has a viscosity temperatureTG which is higher than the viscosity temperature TG SiO2 of SiO2. The invention also relates to a method for the production of said semiconductor-on-insulator structure.
(FR)L’invention concerne une structure de semi-conducteur sur isolant, comprenant une partie en matériau semiconducteur et une partie en matériau électriquement isolant, solidaires l’une de l’autre, des contraintes élastiques étant présentes dans la partie en matériau semiconducteur. La partie en matériau électriquement isolant présente une température de viscosité TG supérieure à la température de viscosité TG SiO2 du SiO2. L’invention concerne en outre un procédé de réalisation de cette structure de semiconducteur-sur-isolant.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)