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1. (WO2005013002) SEQUENCE DE PROCESSUS DE DECAPAGE DE PHOTORESINE ET/OU DE NETTOYAGE DE PHOTOMASQUES DANS LA FABRICATION DE CIRCUITS INTEGRES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/013002    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/024793
Date de publication : 10.02.2005 Date de dépôt international : 02.08.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    28.02.2005    
CIB :
B08B 3/12 (2006.01), B08B 7/00 (2006.01), B08B 7/02 (2006.01), C23F 1/00 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01)
Déposants : AKRION, LLC [US/US]; 6330 Hedgewood Drive, Allentown, PA 18106 (US) (Tous Sauf US).
KASHKOUSH, Ismail [US/US]; (US) (US Seulement).
NOVAK, Richard [US/US]; (US) (US Seulement).
CHEN, Gim-Syang [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : KASHKOUSH, Ismail; (US).
NOVAK, Richard; (US).
CHEN, Gim-Syang; (US)
Mandataire : BELLES, Brian, L.; Cozen O'Connor, 1900 Market Street, Philadelphia, PA 19103 (US)
Données relatives à la priorité :
60/491,607 31.07.2003 US
Titre (EN) PROCESS SEQUENCE FOR PHOTORESIST STRIPPING AND/OR CLEANING OF PHOTOMASKS FOR INTEGRATED CIRCUIT MANUFACTURING
(FR) SEQUENCE DE PROCESSUS DE DECAPAGE DE PHOTORESINE ET/OU DE NETTOYAGE DE PHOTOMASQUES DANS LA FABRICATION DE CIRCUITS INTEGRES
Abrégé : front page image
(EN)A method and system for cleaning and/or stripping photoresist from photomasks used in integrated circuit manufacturing comprising a process and means of introducing a mixture of sulfuric acid and ozone (or a mixture of sulfuric acid and hydrogen peroxide) to the surface of a photomask while applying megasonic energy. The invention also comprises method and system comprising a process and means of introducing ozonated deionized water and/or a low temperature dilute aqueous solution (dAPM) to the surface of photomasks while applying megasonic energy. The process and apparatus also remove post plasma ashed residues and other contaminants from photomask surfaces.
(FR)La présente invention concerne un procédé et un système de nettoyage et/ou de décapage de photorésine de photomasques utilisé dans la fabrication de circuits intégrés, qui comprend un processus et un organe d'introduction de mélange d'acide sulfurique et d'ozone (ou de mélange d'acide sulfurique et de peroxyde d'hydrogène) sur la surface d'un photomasque avec application simultanée d'une énergie mégasoniquel. Cette invention concerne aussi un procédé et un système comprenant un processus et un organe d'introduction d'eau déionisée ozonée et/ou une solution aqueuse diluée à basse température (dAPM) sur la surface d'un photomasque avec application simultanée d'énergie mégasonique. Ce processus et cet appareil retirent aussi les résidus en cendres après le plasma et d'autres impuretés des surfaces de photomasque.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)