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1. (WO2005012892) CAPTEUR DE GAZ ET PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/012892    N° de la demande internationale :    PCT/DE2004/001645
Date de publication : 10.02.2005 Date de dépôt international : 23.07.2004
CIB :
G01N 27/12 (2006.01)
Déposants : PARAGON AG [DE/DE]; Schwalbenweg 29, 33129 Delbrück (DE) (Tous Sauf US).
WEBER, Heribert [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
PRUETZ, Odd-Axel [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
KRUMMEL, Christian [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
SCHELLING, Christoph [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
GRUEN, Detlef [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : WEBER, Heribert; (DE).
PRUETZ, Odd-Axel; (DE).
KRUMMEL, Christian; (DE).
SCHELLING, Christoph; (DE).
GRUEN, Detlef; (DE)
Mandataire : PATENTANWÄLTE SPALTHOFF & LELGEMANN; Haumannplatz 4, 45130 Essen (DE)
Données relatives à la priorité :
103 33 996.5 25.07.2003 DE
103 47 416.1 13.10.2003 DE
Titre (DE) GASSENSOR UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
(EN) GAS SENSOR AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
(FR) CAPTEUR DE GAZ ET PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(DE)Die vorliegende Erfindung betrifft einen Gassensor mit einer auf einem Halbleitersubstrat (2) ausgebildeten Membranschicht (3), auf der eine Auswertestruktur (7) in einem Auswertebereich (8) und eine Heizstruktur (9) ausserhalb des Auswertebereichs (8) angeordnet sind, und mit einer über der Auswertestruktur (7) und der Heizstruktur (9) angeordneten gassensitiven Schicht (10), wobei die gassensitive Schicht (10) von der Heizstruktur (9) beheizbar und der elektrische Widerstand der gassensitiven Schicht (10) von der Auswertestruktur (7) auswertbar ist und wobei die Heizstruktur (9) auf einer haftvermittelnden Oxidschicht (6) auf der Oberseite der Membranschicht (3) angeordnet und durch eine Deckoxidschicht (11) von dergassensitiven Schicht getrennt ist. Um eine zuverlässige Funktionsweise zu ermöglichen, ist bei dem Gassensor vorgesehen, dass in dem Auswertebereich (8) eine gegenüber einer Oxidätzung unempfindliche Haftvermittlerschicht (13) zwischen der Membranschicht (3) und der Auswertestruktur (7) angeordnet ist oder dass die Auswertestruktur (7) in dem Auswertebereich (8) entsprechend der Heizstruktur (9) durch die Deckoxidschicht (11) von der gassensitiven Schicht (10) getrennt ist, wobei die Deckoxidschicht (11) Kontaktlöcher (12) aufweist, welche jeweils einen mittleren Bereich der Oberfläche der Auswertestruktur (7) freilegen, um einen direkten Kontakt zwischen der Auswertestruktur (7) und der gassensitiven Schicht (10) herzustellen.
(EN)The invention relates to a gas sensor comprising a membrane layer (3) formed on a semiconductor substrate (2), an evaluation structure (7) being arranged on said substrate in an evaluation area (8) and a heating structure (9) outside the evaluation area (8), in addition to a gas-sensitive layer (10) arranged above the evaluation structure (7) and the heating structure (9), wherein said gas-sensitive layer (10) can be heated by the heating structure (9) and the electrical resistance of the gas-sensitive layer (10) can be evaluated by the evaluation structure (7). The heating structure (9) is arranged on an adhesion-promoting oxide layer (6) on the top surface of the membrane layer (3) and is separated from the gas-sensitive layer by a cover oxide layer (11). In order to enable reliable functionality of the gas sensor, that in the evaluation area (8), an adhesion-promoting layer (13) insensitive to oxide etching is arranged between the membrane layer (3) and the evaluation structure (7) or the evaluation structure (7) in the evaluation area (8) corresponding to the heating structure (9) is separated from the gas-sensitive layer (10) by the cover oxide layer (11), wherein the cover oxide layer (11) has contact holes (12) which uncover a central area of the surface of the evaluation structure (7) in order to produce a direct contact between the evaluation structure (7) and the gas-sensitive layer (10).
(FR)La présente invention concerne un capteur de gaz comportant une couche membranaire (3) disposée sur un substrat à semiconducteurs (2), ladite couche membranaire comportant une structure d'évaluation (7) dans une zone d'évaluation (8) et une structure de chauffage (9) en dehors de la zone d'évaluation (8). Ledit capteur de gaz comporte également une couche sensible aux gaz (10) disposée au-dessus de la structure d'évaluation (7) et de la structure de chauffage (9). Ladite couche sensible aux gaz (10) peut être chauffée par la structure de chauffage (9) et la résistance électrique de la couche sensible aux gaz (10) peut être évaluée par la structure d'évaluation (7). La structure de chauffage (9) est disposée sur une couche d'oxyde adhésive (6) sur le côté supérieur de la couche membranaire (3), et est séparée de la couche sensible aux gaz par l'intermédiaire d'une couche d'oxyde de couverture (11). L'invention vise à permettre un fonctionnement efficace dudit capteur de gaz. A cet effet, une couche adhésive (13) résistant à un décapage oxydique est disposée dans la zone d'évaluation (8), entre la couche membranaire (3) et la structure d'évaluation, ou la structure d'évaluation (7) est séparée de la couche sensible aux gaz (10) par l'intermédiaire de la couche d'oxyde de couverture (11) dans la zone d'évaluation (8) correspondant à la structure de chauffage (9). La couche d'oxyde de couverture (11) présente des trous de contact (12) libérant respectivement une zone centrale de la surface de la structure d'évaluation (7) afin d'établir un contact direct entre la structure d'évaluation et la couche sensible aux gaz (10).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)