WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2005012599) PROCEDE PERMETTANT DE FORMER UN FILM D'OXYDE SUR UNE SURFACE METALLIQUE A L'AIDE D'UN LIQUIDE IONIQUE, CONDENSATEUR ELECTROLYTIQUE ET ELECTROLYTE UTILISE DANS LE CONDENSATEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/012599    N° de la demande internationale :    PCT/JP2004/010996
Date de publication : 10.02.2005 Date de dépôt international : 26.07.2004
CIB :
H01G 9/02 (2006.01)
Déposants : KANEKA CORPORATION [JP/JP]; 2-4, Nakanoshima 3-Chome Kita-ku, Osaka-shi Osaka 5308288 (JP) (Tous Sauf US).
MURAKAMI, Mutsuaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TACHIBANA, Masamitsu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FURUTANI, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAMAGISHI, Hideo [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MURAKAMI, Mutsuaki; (JP).
TACHIBANA, Masamitsu; (JP).
FURUTANI, Hiroyuki; (JP).
YAMAGISHI, Hideo; (JP)
Représentant
commun :
KANEKA CORPORATION; 2-4, Nakanoshima 3-chome Kita-ku, Osaka-shi Osaka 5308288 (JP)
Données relatives à la priorité :
2003-204299 31.07.2003 JP
2003-310856 03.09.2003 JP
2004-075625 17.03.2004 JP
2004-082838 22.03.2004 JP
2004-082827 22.03.2004 JP
Titre (EN) METHOD FOR FORMING OXIDE FILM ON METAL SURFACE USING IONIC LIQUID, ELECTROLYTIC CAPACITOR AND ELECTROLYTE THEREOF
(FR) PROCEDE PERMETTANT DE FORMER UN FILM D'OXYDE SUR UNE SURFACE METALLIQUE A L'AIDE D'UN LIQUIDE IONIQUE, CONDENSATEUR ELECTROLYTIQUE ET ELECTROLYTE UTILISE DANS LE CONDENSATEUR
(JA) イオン性液体を用いた金属表面酸化皮膜形成法、電解コンデンサ及びその電解質
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed are a means for forming an oxide film on a metal surface, a means for repairing a defect in an oxide film, a high-performance electrolytic capacitor utilizing such means, and an electrolyte of the capacitor. Specifically, disclosed is a method for easily forming an oxide film on the surface of a metal or an alloy thereof through anodizing wherein a solution containing an ionic liquid is used. An electrolytic capacitor comprising a means for repairing a defect in the oxide film can be formed by utilizing applications of such a method wherein an ionic liquid, a solution obtained by adding a salt into the ionic liquid, a conductive polymer or a solution obtained by adding the ionic liquid to a TCNQ salt is used as the electrolyte, and a valve metal or an alloy thereof is used as the metal.
(FR)La présente invention porte sur des moyens permettant de former un film d'oxyde sur une surface métallique, des moyens permettant de réparer un défaut dans un film d'oxyde, un condensateur électrolytique à haute performance dans lequel lesdits moyens sont utilisés, et un électrolyte destiné au condensateur. En particulier, l'invention concerne un procédé qui permet de former facilement un film d'oxyde sur la surface d'un métal ou d'un alliage de métal par une anodisation faisant appel à une solution contenant un liquide ionique. Selon l'invention, on peut former un condensateur électrolytique comprenant des moyens qui permettent de réparer un défaut dans le film d'oxyde en utilisant des applications du procédé précité, dans lequel on utilise comme électrolyte un liquide ionique, une solution que l'on obtient en ajoutant un sel au liquide ionique, un polymère conducteur ou une solution que l'on obtient en ajoutant le liquide ionique à un sel de TCNQ, et dans lequel on utilise comme métal un métal valve ou un alliage de métal valve.
(JA)金属表面の酸化皮膜形成手段、酸化皮膜欠陥の修復手段、その手段を用いた高性能電解コンデンサおよびその電解質を提供する。イオン性液体を含む溶液を用いて陽極酸化することにより金属やその合金表面に酸化皮膜を容易に形成する方法である。この方法の応用として、イオン性液体、イオン性液体に塩を添加した溶液、または導電性高分子もしくはTCNQ塩にイオン性液体を添加した溶液を電解質として使用する、金属として弁金属またはその合金を使用する、などの方法により酸化皮膜欠陥の修復手段を備えた電解コンデンサの構成が可能となる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)