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1. (WO2005011260) CAPTEURS D'IMAGES CMOS 4T A CONDENSATEUR A GRILLE DE DIFFUSION FLOTTANTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/011260    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/022564
Date de publication : 03.02.2005 Date de dépôt international : 14.07.2004
CIB :
H01L 27/146 (2006.01), H04N 5/355 (2011.01), H04N 5/369 (2011.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 S. Federal Way, Boise, ID 83707-0006 (US) (Tous Sauf US).
HONG, Sungkwon, Chris [KR/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : HONG, Sungkwon, Chris; (US)
Mandataire : D'AMICO, Thomas, J.; Dickstein Shapiro Morin & Oshinsky LLP, 2101 L Street NW, Washington, DC 20037-1526 (US)
Données relatives à la priorité :
10/618,627 15.07.2003 US
Titre (EN) 4T CMOS IMAGE SENSOR WITH FLOATING DIFFUSION GATE CAPACITOR
(FR) CAPTEURS D'IMAGES CMOS 4T A CONDENSATEUR A GRILLE DE DIFFUSION FLOTTANTE
Abrégé : front page image
(EN)Pixel cells are provided which employ a gate capacitor associated with the floating diffusion node to selectively increase the storage capacity of the floating diffusion node. The gate capacitor can be formed at the same time as the same process steps used to form other gates of the pixel cells. The inherent capacity of the storage node alone may be sufficient under low light conditions. Higher light conditions may result in selective activation of the gate capacitor, thus increasing the capacity of the storage node with the additional capacity provided by the gate capacitor. The invention produces high dynamic range and high output signal without charge sharing or lag output signal. Methods of forming such pixel cells can be applied in CMOS and CCD imaging devices, image pixel arrays in CMOS and CCD imaging devices, and CMOS and CCD imager systems.
(FR)L'invention concerne des cellules de pixels qui utilisent un condensateur de grille associé au noeud de diffusion flottant afin d'augmenter sélectivement la capacité de stockage du noeud de diffusion flottant. Le condensateur de grille peut être formé en même temps que les étapes du processus utilisées pour former d'autres grilles des cellules de pixels. La capacité inhérente du noeud de stockage seule peut être suffisante dans des conditions de lumière faible. Des conditions de lumière plus forte peuvent entraîner l'activation sélective du condensateur de grille, augmentant ainsi la capacité du noeud de stockage à l'aide de la capacité supplémentaire fournie par le condensateur de grille. L'invention permet de produire une plage dynamique élevée et un signal de sortie élevé sans partage de charge ou signal de sortie déphasé. Les procédés de formation desdites cellules de pixels peuvent être appliqués à des dispositifs d'imagerie CMOS et CCD, à des réseaux de pixels d'images dans des dispositifs d'imagerie CMOS et CCD, ainsi qu'à des systèmes d'imagerie CMOS et CCD.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)