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1. (WO2005011046) COMPOSANT HAUTE FREQUENCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/011046    N° de la demande internationale :    PCT/IB2004/051228
Date de publication : 03.02.2005 Date de dépôt international : 15.07.2004
CIB :
H01P 1/203 (2006.01), H01P 5/10 (2006.01), H01P 7/08 (2006.01)
Déposants : PHILIPS INTELLECTUAL PROPERTY & STANDARDS GMBH [DE/DE]; Steindamm 94, 20099 Hamburg (DE) (DE only).
KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N. V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL) (AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BJ, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GW, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IS, IT, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MC, MD, MG, MK, ML, MN, MR, MW, MX, MZ, NA, NE, NI, NL, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SN, SY, SZ, TD, TG, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW only).
MATTERS-KAMMERER, Marion, Kornelia [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
KIEWITT, Rainer [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
REIMANN, Klaus [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : MATTERS-KAMMERER, Marion, Kornelia; (DE).
KIEWITT, Rainer; (DE).
REIMANN, Klaus; (DE)
Mandataire : VOLMER, Georg; Philips Intellectual Property & Standards GmbH, Weisshausstr. 2, 52066 Aachen (DE)
Données relatives à la priorité :
03102323.7 28.07.2003 EP
Titre (EN) HIGH FREQUENCY COMPONENT
(FR) COMPOSANT HAUTE FREQUENCE
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a high frequency component with a substrate constructed of a plurality of dielectric layers and, between them, electrode layers having conducting track structures, in which substrate at least one capacitive element and at least one inductive element is formed, whereby at least one arrangement of opposed conducting track 5 structures is provided, these realizing simultaneously a capacitive and an inductive element, whereby the common-mode impedance and the push-pull impedance between the opposing conducting track structures are adjusted to differ by a factor of at least 2.
(FR)L'invention concerne un composant haute fréquence comportant un substrat constitué d'une pluralité de couches diélectriques et, entre celles-ci, de couches électrodes possédant des structures d'impressions conductrices. Au moins un élément capacitif et au moins un élément inductif sont formés dans ledit substrat, au moins un agencement de structures d'impressions conductrices opposées étant prévu, celles-ci constituant simultanément un élément capacitif et un élément inductif, l'impédance en mode commun et l'impédance symétrique entre les structures d'impressions conductrices opposées étant réglées de manière à différer d'un facteur d'au moins 2.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)