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1. (WO2005010995) ELEMENT ELECTRONIQUE, CIRCUIT INTEGRE ET PROCEDE DE FABRICATION CORRESPONDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/010995    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/016172
Date de publication : 03.02.2005 Date de dépôt international : 17.12.2003
CIB :
H01L 51/30 (2006.01)
Déposants : FUJI XEROX CO., LTD. [JP/JP]; 17-22, Akasaka 2-chome, Minato-ku, Tokyo 107-0052 (JP) (Tous Sauf US).
HIRAKATA, Masaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ISOZAKI, Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KISHI, Kentaro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SHIGEMATSU, Taishi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
WATANABE, Miho [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MANABE, Chikara [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ANAZAWA, Kazunori [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
WATANABE, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OKADA, Shinsuke [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OOMA, Shigeki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HIRAKATA, Masaki; (JP).
ISOZAKI, Takashi; (JP).
KISHI, Kentaro; (JP).
SHIGEMATSU, Taishi; (JP).
WATANABE, Miho; (JP).
MANABE, Chikara; (JP).
ANAZAWA, Kazunori; (JP).
WATANABE, Hiroyuki; (JP).
OKADA, Shinsuke; (JP).
OOMA, Shigeki; (JP)
Mandataire : NAKAMURA, Tomohiro; 5th Floor, Central Shinbashi Bldg., 11-5, Nishi-shinbashi 2-chome, Minato-ku, Tokyo 105-0003 (JP)
Données relatives à la priorité :
2003-280374 25.07.2003 JP
Titre (EN) ELECTRONIC ELEMENT, INTEGRATED CIRCUIT AND PROCESS FOR FABRICATING THE SAME
(FR) ELEMENT ELECTRONIQUE, CIRCUIT INTEGRE ET PROCEDE DE FABRICATION CORRESPONDANT
(JA) 電子素子、集積回路およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)An electronic element having a transport layer exhibiting excellent semiconductor characteristics while reducing the environmental load and formed, on the surface of a basic body, of a carbon nanotube structure layer where a plurality of carbon nanotubes constitute a crosslinked mesh structure. A process for fabricating the electronic element is also provided.
(FR)Cette invention se rapporte à un élément électronique comprenant une couche de transport présentant d'excellentes caractéristiques semi-conductrices, tout en réduisant la charge sur l'environnement, et comportant, sur la surface d'un corps de base, une couche à structure de nanotubes en carbone, dont plusieurs nanotubes carbone constituent une structure en treillis réticulée. Un procédé de fabrication de cet élément électronique est également présenté.
(JA)本発明は、基体の表面に、少なくとも、複数のカーボンナノチューブが相互に架橋した網目構造を構成するカーボンナノチューブ構造体層により構成された輸送層を備える構成により、環境負荷が少なく、半導体特性に優れた輸送層を備えた電子素子を提供し、加えてその製造方法を提供するものである。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)