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1. (WO2005010985) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR, PROCEDE DE FABRICATION DE CE DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR, MODULE A SEMI-CONDUCTEUR ET CARTE D'ORDINATEUR PERSONNEL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/010985    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/009463
Date de publication : 03.02.2005 Date de dépôt international : 25.07.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    25.07.2003    
CIB :
H01L 23/495 (2006.01)
Déposants : RENESAS TECHNOLOGY CORP. [JP/JP]; 4-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-6334 (JP) (Tous Sauf US).
MUTO, Kuniharu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAGAMINE, Toru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MIKAMI, Akio [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAITO, Masahiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
DANNO, Tadatoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAKAHASHI, Yasushi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MUTO, Kuniharu; (JP).
NAGAMINE, Toru; (JP).
MIKAMI, Akio; (JP).
SAITO, Masahiro; (JP).
DANNO, Tadatoshi; (JP).
TAKAHASHI, Yasushi; (JP)
Mandataire : AKITA, Shuki; 2nd floor, Twintabata Bldg. B, 13-9, Higashi-Tabata 1-chome, Kita-ku, Tokyo 114-0013 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MODULE AND PERSONAL COMPUTER CARD
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR, PROCEDE DE FABRICATION DE CE DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR, MODULE A SEMI-CONDUCTEUR ET CARTE D'ORDINATEUR PERSONNEL
(JA) 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体モジュール及びパソコンカード
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device used in an electronic device comprises a semiconductor chip wherein a transistor having two electrodes on a major surface and an electrode on the back surface is formed; two electrically independent electrode plates connected to the respective electrodes on the major surface; an electrode plate electrically connected to the electrode on the back surface of the semiconductor chip; and an encapsulant made of an insulating resin, covering the lateral surfaces of the semiconductor chip, and placed in the space between the electrode plates. The package and the electrode plates shape the semiconductor device into a hexahedron. An active portion of the transistor is located on the major surface of the semiconductor chip and the two electrodes are arranged, with the active portion interposed therebetween. The electrode plates arranged on the major surface of the semiconductor chip have lateral surfaces facing to each other and provided with a recess for preventing the electrode plates from coming off the encapsulant.
(FR)Cette invention se rapporte à un dispositif à semi-conducteur utilisé dans un dispositif électronique, qui comprend une puce à semi-conducteur dans laquelle est formé un transistor comportant deux électrodes sur une surface principale et une électrode sur la surface arrière ; deux plaques électrodes électriquement indépendantes, connectées aux électrodes respectives sur la surface principale ; une plaque électrode connectée électriquement à l'électrode de la surface arrière de la puce à semi-conducteur ; et un agent d'encapsulation constitué de résine isolante, qui recouvre les surfaces latérales de la puce à semi-conducteur et qui est placé dans l'espace compris entre les plaques électrodes. Ce boîtier et ces plaques électrodes confèrent à ce dispositif à semi-conducteur la forme d'un hexaèdre. Une partie active du transistor est placée sur la surface principale de la puce à semi-conducteur et les deux électrodes sont agencées de façon à prendre en sandwich entre elles cette partie active. Les plaques électrodes disposées sur la surface principale de la puce à semi-conducteur présentes des surfaces latérales qui se font face et qui comportent un évidement destiné à empêcher les plaques électrodes de sortir de l'élément d'encapsulation.
(JA) 電子装置に組み込まれる半導体装置である。半導体装置は、主面に2個の電極を有するとともに裏面に1個の電極を有するトランジスタが形成された半導体チップと、主面の各電極に電気的に接続されかつ電気的に独立した2つの電極板と、半導体チップ裏面の電極に電気的に接続される電極板と、半導体チップの側面を被うとともに電極板間に充填される絶縁性樹脂からなる封止体とを有し、封止体及び電極板によって六面体構造になっている。半導体チップの主面にはトランジスタの能動部が位置し、この能動部を挟んで2個の電極が配置されている。半導体チップの主面側に配置される複数の電極板において、隣接する電極板間の電極板側面には封止体から電極板が抜け難くなる形状の窪みが設けられている。
États désignés : CN, JP, KR, SG, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)