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1. (WO2005010969) SYSTEME DE REACTION GAZEUSE ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/010969    N° de la demande internationale :    PCT/JP2004/010895
Date de publication : 03.02.2005 Date de dépôt international : 23.07.2004
CIB :
C23C 16/44 (2006.01), C23C 16/448 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome Minato-ku, Tokyo 1078481 (JP) (Tous Sauf US).
IIZUKA, Hachishiro [JP/JP]; (US Seulement)
Inventeurs : IIZUKA, Hachishiro;
Mandataire : SUZUYE, Takehiko; c/o Suzuye & Suzuye 7-2, Kasumigaseki 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1000013 (JP)
Données relatives à la priorité :
2003-279970 25.07.2003 JP
Titre (EN) GAS REACTION SYSTEM AND SEMICONDUCTOR PROCESSING APPARATUS
(FR) SYSTEME DE REACTION GAZEUSE ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) ガス反応装置及び半導体処理装置
Abrégé : front page image
(EN)A gas reaction system is disclosed which comprises a vaporizer (230) for generating a reaction gas by vaporizing a liquid material and a reaction chamber (221A) wherein the reaction gas is reacted. The vaporizer (230) is integrally formed with a component member which defines the reaction chamber (221A). The reaction gas generated in the vaporizer (230) is directly introduced into the reaction chamber (221A). The vaporization chamber (232) of the vaporizer (230) is a space between a roof (230A) and a cap (230B) attached to the upper surface of the roof (230A). A narrow passage (233) is formed between the cap (230B) and the roof (230A) which passage (233) communicates with the vaporization chamber (232).
(FR)L'invention concerne un système de réaction gazeuse comprenant un vaporisateur (230) servant à générer un gaz réactionnel par vaporisation d'un matériau liquide, et une chambre de réaction (221A) dans laquelle s'effectue la réaction du gaz. Ce vaporisateur (230) est solidaire d'un élément définissant la chambre de réaction (221A). Le gaz réactionnel généré dans le vaporisateur (230) est introduit directement dans la chambre de réaction (221A). La chambre de vaporisation (232) du vaporisateur (230) est constituée par un espace situé entre un toit (230A) et une coiffe (230B) fixée à la surface supérieure de ce toit (230A). Un passage étroit (233) est situé entre la coiffe (230B) et le toit (230A) et communique avec la chambre de vaporisation (232).
(JA)not available
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)