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1. (WO2005010964) CRISTALLISATION DE SILICIUM AU MOYEN DE MONOCOUCHES AUTO-ASSEMBLEES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/010964    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/019946
Date de publication : 03.02.2005 Date de dépôt international : 22.06.2004
CIB :
C03C 17/34 (2006.01), C03C 17/42 (2006.01), C23C 16/02 (2006.01), C30B 25/02 (2006.01), C30B 25/18 (2006.01)
Déposants : CORNING INCORPORATED [US/US]; 1 Riverfront Plaza, Corning, New York 14831 (US) (Tous Sauf US).
COUILLARD, James G [US/US]; (US) (US Seulement).
HANCOCK, Robert R. Jr. [US/US]; (US) (US Seulement).
LEWIS, Mark A [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : COUILLARD, James G; (US).
HANCOCK, Robert R. Jr.; (US).
LEWIS, Mark A; (US)
Mandataire : BEALL, Thomas R; Corning Incorporated, Patent Department SP-TI-3-1, Corning, New York 14831 (US)
Données relatives à la priorité :
10/622,606 18.07.2003 US
Titre (EN) SILICON CRYSTALLIZATION USING SELF-ASSEMBLED MONOLAYERS
(FR) CRISTALLISATION DE SILICIUM AU MOYEN DE MONOCOUCHES AUTO-ASSEMBLEES
Abrégé : front page image
(EN)A display device comprises a substrate having a layer of crystalline or polycrystalline semiconductor material disposed over the substrate, wherein the substrate has a strain point that is lower than a forming temperature of the layer. The crystalline or polycrystalline material is fabricated by a method that includes providing a self-assembled monolayer (SAM) over the substrate, depositing a layer of material over the SAM, and substantially crystallizing the layer.
(FR)L'invention concerne un dispositif d'affichage comprenant un substrat qui comporte une couche de matériau semi-conducteur cristallin ou polycristallin disposé sur le substrat. Le substrat présente une température inférieure de recuit se situant en dessous de la température de formation de la couche. Le matériau cristallin ou polycristallin est produit au moyen d'un procédé consistant à recouvrir le substrat d'une monocouche auto-assemblée (SAM), à déposer une couche de matériau par-dessus cette monocouche auto-assemblée, et à cristalliser la couche déposée dans sa quasi totalité.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)