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1. (WO2005010938) RESEAU D'ADAPTATION D'IMPEDANCE MUNI D'UNE TERMINAISON A FREQUENCES RF SECONDAIRES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/010938    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/022480
Date de publication : 03.02.2005 Date de dépôt international : 14.07.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    22.08.2005    
CIB :
C23C 16/00 (2006.01), H01J 7/24 (2006.01)
Déposants : ADVANCED ENERGY INDUSTRIES, INC. [US/US]; 1625 Sharp Point Drive, Fort Collins, CO 80525 (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : BLACKBURN, Thomas, Joel; (US).
MASON, Christopher, C.; (US)
Mandataire : HUDSON, Benjamin, Jr.; Advanced Energy Industries, Inc., 1625 Sharp Point Drive, Fort Collins, CO 80525 (US).
PIRNOT, John, D.; Advanced Energy Industries, Inc., 1625 Sharp Point Drive, Fort Collins, CO 80525 (US)
Données relatives à la priorité :
10/621,695 16.07.2003 US
Titre (EN) IMPEDANCE MATCHING NETWORK WITH TERMINATION OF SECONDARY RF FREQUENCIES
(FR) RESEAU D'ADAPTATION D'IMPEDANCE MUNI D'UNE TERMINAISON A FREQUENCES RF SECONDAIRES
Abrégé : front page image
(EN)There is provided a secondary reactive termination circuit connected between the output of the RF power generator and the input of the plasma chamber to allow the tight regulation or limiting of the voltage and current components of the secondary frequencies within the process plasma. The secondary reactive circuit controls the impedance of the match network designed primarily to operate at the fundamental frequency of the RIF power generator as seen by secondary frequencies in the system. A variable capacitor gives the operator the advantage of being able to tightly regulate the voltage, current, and power within a process at discrete frequencies without concern for impedance variability induced by other components in the system.
(FR)L'invention concerne un circuit réactif secondaire à terminaison connecté entre la sortie du générateur de puissance RF et l'entrée de la chambre à plasma pour permettre la régulation ou la limitation stricte de la tension et des composants de courant des fréquences secondaires dans le plasma de traitement. Le circuit réactif secondaire contrôle l'impédance du réseau d'adaptation conçu principalement pour fonctionner à la fréquence fondamentale du générateur de puissance RF, à l'instar des fréquences secondaires du système. Une capacité variable donne à l'opérateur l'avantage de pouvoir réguler strictement la tension, le courant et la puissance dans un processus, à des fréquences discrètes, sans incidence de la variabilité d'impédance induite par d'autres composants du système.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)