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1. (WO2005010891) CONDENSATEURS FERROELECTRIQUES A CIRCUITS INTEGRES A CONSTANTE DIELECTRIQUE ELEVEE AYANT UNE ORIENTATION 3D POUR MEMOIRES HAUTE DENSITE, ET PROCEDE D'ELABORATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/010891    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/022774
Date de publication : 03.02.2005 Date de dépôt international : 15.07.2004
CIB :
G11C 11/22 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01)
Déposants : SYMETRIX CORPORATION [US/US]; 5055 Mark Dabling Boulevard, Colorado Springs, Colorado 80918 (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : PAZ DE ARAUJO, Carlos, A.; (US).
MCMILLAN, Larry, D.; (US).
SOLAYAPPAN, Narayan; (US).
JOSHI, Vikram; (US)
Mandataire : FOREST, Carl, A.; Patton Boggs LLP, 1660 Lincoln Street, Suite 1900, Denver, Colorado 80264 (US)
Données relatives à la priorité :
10/626,413 24.07.2003 US
Titre (EN) FERROELECTRIC AND HIGH DIELECTRIC CONSTANT INTEGRATED CIRCUIT CAPACITORS WITH THREE-DIMENSIONAL ORIENTATION FOR HIGH DENSITY MEMORIES, AND METHOD OF MAKING THE SAME
(FR) CONDENSATEURS FERROELECTRIQUES A CIRCUITS INTEGRES A CONSTANTE DIELECTRIQUE ELEVEE AYANT UNE ORIENTATION 3D POUR MEMOIRES HAUTE DENSITE, ET PROCEDE D'ELABORATION
Abrégé : front page image
(EN)A three-dimensional ('3-D') memory capacitor comprises a bottom electrode, a ferroelectric thin film, and a top electrode that conform to a 3-D surface of an insulator layer. The capacitance area is greater than the horizontal footprint area of the capacitor. Preferably, the footprint of the capacitor is less than 0.2 nm2, and the corresponding capacitance area is typically in a range of from 0.4 nm2 to 1.0 nm2 The ferroelectric thin film preferably has a thickness not exceeding 60 nm. A capacitor laminate including the bottom electrode, ferroelectric thin film, and the top electrode preferably has a thickness not exceeding 200 nm. A low-thermal-budget MOCVD method for depositing a ferroelectric thin film having a thickness in a range of from 30 nm to 90 nm includes an RTP treatment before depositing the top electrode and an RTP treatment after depositing the top electrode and etching the ferroelectric layer.
(FR)L'invention concerne un condensateur de mémorisation 3D qui comprend une électrode inférieure, un film ferroélectrique mince, et une électrode supérieure épousant une surface 3D de couche d'isolation. La zone de capacité est supérieure à l'empreinte horizontale du condensateur. De préférence, l'empreinte du condensateur est inférieure à 0,2 nm2, et la zone de capacité correspondante est généralement comprise entre 0,4 nm2 et 1 nm2. Le film ferroélectrique mince a de préférence une épaisseur ne dépassant pas 60 nm. Un laminé de condensateur comprenant l'électrode inférieure, le film ferroélectrique mince et l'électrode supérieure a de préférence une épaisseur n'excédant pas 200 nm. L'invention concerne un procédé de dépôt chimique métal-oxyde en phase vapeur à faible budget thermique permettant de déposer un film ferroélectrique mince d'épaisseur comprise entre 30 nm et 90 nm, qui comporte un traitement RTP avant le dépôt de l'électrode supérieure et un traitement RTP après le dépôt de l'électrode supérieure ainsi que l'attaque de la couche ferroélectrique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)