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1. (WO2005010243) PROCEDE DE PRODUCTION D'UN SUBSTRAT DE SILICIUM A CRISTAL UNIQUE, METHODE DE MESURE DE CARACTERISTIQUES DE RESISTANCE ET METHODE PERMETTANT DE GARANTIR DES CARACTERISTIQUES DE RESISTANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/010243    N° de la demande internationale :    PCT/JP2004/010489
Date de publication : 03.02.2005 Date de dépôt international : 23.07.2004
CIB :
C30B 13/12 (2006.01), C30B 29/06 (2006.01), H01L 21/324 (2006.01)
Déposants : SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. [JP/JP]; 4-2, Marunouchi 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP) (Tous Sauf US).
YOSHIZAWA, Ken [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KODAMA, Yoshihiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : YOSHIZAWA, Ken; (JP).
KODAMA, Yoshihiro; (JP)
Mandataire : YOSHIMIYA, Mikio; Uenosansei Bldg. 4F 6-4, Motoasakusa 2-chome Taito-ku, Tokyo 1110041 (JP)
Données relatives à la priorité :
2003-281948 29.07.2003 JP
2003-281951 29.07.2003 JP
2003-281953 29.07.2003 JP
Titre (EN) PROCESS FOR PRODUCING SILICON SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, METHOD OF MEASURING RESISTANCE CHARACTERISTICS AND METHOD OF WARRANTING RESISTANCE CHARACTERISTICS
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D'UN SUBSTRAT DE SILICIUM A CRISTAL UNIQUE, METHODE DE MESURE DE CARACTERISTIQUES DE RESISTANCE ET METHODE PERMETTANT DE GARANTIR DES CARACTERISTIQUES DE RESISTANCE
(JA) シリコン単結晶基板の製造方法及び抵抗特性測定方法並びに抵抗特性保証方法
Abrégé : front page image
(EN)A process for producing a silicon single crystal substrate of 1000 Ω·cm or higher average resistivity, characterized by comprising growing a silicon single crystal ingot while adding nitrogen according to the FZ method; slicing the grown ingot into silicon single crystal substrates; and effecting heat treatment of the obtained substrates at 900 to 1250°C for 10 to 120 min. There are further provided methods of measuring and warranting the resistance characteristics of silicon single crystal substrates characterized in that after the above heat treatment, the resistivity and/or in-plane resistivity distribution of produced substrates is measured. As a result, with respect to nitrogen-doped silicon single crystal substrates of high resistivity exceeding 1000 Ω·cm, there can be provided a process for producing a silicon single crystal substrate in which no substantial resistivity change occurs even when heat treatment is conducted during the process of semiconductor element production, and provided methods of measuring and warranting the resistance characteristics of silicon single crystal substrates by which accurate warranting of the resistance characteristics of silicon single crystal substrate products can be attained.
(FR)L'invention concerne un procédé pour produire un substrat de silicium à cristal unique présentant une résistivité moyenne supérieure ou égale à 1 000 $g(V) cm, caractérisé par le fait qu'il consiste à former un lingot de silicium à cristal unique, tout en ajoutant de l'azote, selon la méthode FZ; à trancher le lingot ainsi formé en substrats de silicium à cristal unique; et à faire subir un traitement thermique aux substrats obtenus entre 900 et 1 250 °C, pendant 10 à 120 min. L'invention concerne également des méthodes permettant de mesurer et de garantir des caractéristiques de résistance de substrats de silicium à cristal unique. Ces méthodes sont caractérisées en ce que, après le traitement thermique susmentionné, la résistivité et/ou la distribution de résistivité dans le plan des substrats produits est mesurée. Par conséquent, par rapport aux substrats de silicium à cristal unique dopés à l'azote présentant une résistivité élevée dépassant 1 000 $g(V) cm, l'invention concerne un procédé pour produire un substrat de silicium à cristal unique dans lequel aucun changement de résistivité sensible ne se produit, même lorsque le traitement thermique s'effectue lors du procédé de production d'un élément semi-conducteur. L'invention concerne également des méthodes de mesure et de garantie de caractéristiques de résistance de substrats de silicium à cristal unique, permettant de garantir de manière précise des caractéristiques de résistance de produits de substrat de silicium à cristal unique.
(JA) 本発明は、平均抵抗率1000Ω・cm以上のシリコン単結晶基板を製造する方法であって、FZ法により窒素を添加しながらシリコン単結晶インゴットを育成し、該育成したインゴットを切断してシリコン単結晶基板を作製し、該作製した基板に、900~1250°Cの温度で10~120分の熱処理を行うことを特徴とするシリコン単結晶基板の製造方法及び該熱処理を行った後、前記作製した基板の抵抗率及び/又は面内抵抗率分布を測定することを特徴とするシリコン単結晶基板の抵抗特性測定方法及び保証方法である。これにより、窒素を添加した1000Ω・cmを超える高抵抗率シリコン単結晶基板において、半導体素子製造工程中に熱処理を行っても抵抗率が大きく変化しないシリコン単結晶基板の製造方法及びシリコン単結晶基板製品の正確な抵抗特性保証を行うことを可能にするシリコン単結晶基板の抵抗特性測定方法及び抵抗特性保証方法が提供される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)