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1. (WO2005009920) NITRURE DE SILICIUM FRITTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/009920    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/022864
Date de publication : 03.02.2005 Date de dépôt international : 15.07.2004
CIB :
C04B 35/593 (2006.01), F01D 5/28 (2006.01)
Déposants : HONEYWELL INTERNATIONAL INC. [US/US]; 101 Columbia Road, P.O. Box 2245, Morristown, NJ 07960 (US) (Tous Sauf US).
LI, Chien-Wei [US/US]; (US) (US Seulement).
GUIHEEN, James, V. [US/US]; (US) (US Seulement).
SCHENK, Bjoern [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LI, Chien-Wei; (US).
GUIHEEN, James, V.; (US).
SCHENK, Bjoern; (US)
Mandataire : HOIRIIS, David; Honeywell International Inc., 101 Columbia Road, P.O. Box 2245, Morristown, NJ 07960 (US)
Données relatives à la priorité :
10/621,168 15.07.2003 US
Titre (EN) SINTERED SILICON NITRIDE
(FR) NITRURE DE SILICIUM FRITTE
Abrégé : front page image
(EN)Sintered silicon nitride products comprising predominantly &bgr;-silicon nitride grains in combination with from about 0.1 to 30 mole % silicon carbide, and grain boundary secondary phases of scandium oxide and scandium disilicate. Such products have high fracture toughness, resistance to recession, and resistance to oxidation at temperatures of at least 1500°C. Methods for preparing sintered silicon nitride products are also disclosed.
(FR)La présente invention concerne des produits de nitrure de silicium fritté comprenant essentiellement des grains de nitrure de ß-silicium combinés à environ 0,1 à 30 moles % de carbure de silicium et des phases secondaires en limites de grain en oxyde de scandium et disilicate de scandium. De tels produits présentent une résistance élevée à la fracture, à la récession et à l'oxydation à des températures d'au moins 1500 °C. L'invention concerne également des procédés permettant l'élaboration de produits en nitrure de silicium fritté.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)