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1. (WO2005009593) PURIFICATION DE GAZ D'HYDRURE DESTINEE A L'INDUSTRIE DES SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/009593    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/023491
Date de publication : 03.02.2005 Date de dépôt international : 21.07.2004
CIB :
C01B 3/56 (2006.01), C01B 6/34 (2006.01), C01B 25/06 (2006.01), C01B 33/04 (2006.01), C01B 35/02 (2006.01), C01C 1/02 (2006.01)
Déposants : ENTEGRIS, INC. [US/US]; 3500 Lyman Boulevard, Chaska, MN 55318 (US) (Tous Sauf US).
ALVAREZ, Daniel, Jr. [US/US]; (US) (US Seulement).
SPIEGELMAN, Jeffrey, J. [US/US]; (US) (US Seulement).
COOK, Joshua, T. [US/US]; (US) (US Seulement).
NGUYEN, Tram, Doan [US/US]; (US) (US Seulement).
LEV, Daniel, A. [US/US]; (US) (US Seulement).
SCOGGINS, Troy, B. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : ALVAREZ, Daniel, Jr.; (US).
SPIEGELMAN, Jeffrey, J.; (US).
COOK, Joshua, T.; (US).
NGUYEN, Tram, Doan; (US).
LEV, Daniel, A.; (US).
SCOGGINS, Troy, B.; (US)
Mandataire : CARROLL, Alice, O.; Hamilton, Brook, Smith & Reynolds, P.C., 530 Virgnia Road,, P.O. Box 9133, Concord, MA 01742-9133 (US)
Données relatives à la priorité :
60/488,850 21.07.2003 US
60/513,351 22.10.2003 US
Titre (EN) HYDRIDE GAS PURIFICATION FOR THE SEMICONDUCTOR INDUSTRY
(FR) PURIFICATION DE GAZ D'HYDRURE DESTINEE A L'INDUSTRIE DES SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)A method for hydride gas purification uses materials having at least one lanthanide metal or lanthanide metal oxide. The method reduces contaminants to less than 100 parts per billion (ppb), preferably 10 ppb, more preferably 1 ppb. The material can also include transition metals and transition metal oxides, rare earth elements and other metal oxides. The invention also includes materials for use in the method of the invention.
(FR)L'invention concerne un procédé de purification de gaz d'hydrure mettant en oeuvre des matériaux renfermant au moins un métal des lanthanides ou un oxyde de métal des lanthanides. Le procédé permet de réduire les contaminants à moins de 100 parties par milliard (ppb), de préférence à 10 ppb, idéalement à 1 ppb. Le matériau peut également renfermer des métaux de transition et des oxydes de métaux de transition, des éléments des terres rares et d'autres oxydes métalliques. L'invention concerne enfin des matériaux à utiliser dans le procédé selon l'invention.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)