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Paramétrages

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1. WO2005008889 - COMPOSANT A ONDES ACOUSTIQUES STRATIFIE AU SILICIUM ET SON PROCEDE DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2005/008889
Date de publication 27.01.2005
N° de la demande internationale PCT/KR2004/001814
Date du dépôt international 21.07.2004
CIB
H03H 3/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
HRÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
3Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de réseaux d'impédance, de circuits résonnants, de résonateurs
007pour la fabrication de résonateurs ou de réseaux électromécaniques
02pour la fabrication de résonateurs ou de réseaux piézo-électriques ou électrostrictifs
H03H 9/17 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
HRÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
15Détails de réalisation de résonateurs se composant de matériau piézo-électrique ou électrostrictif
17ayant un résonateur unique
CPC
H03H 3/02
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
3Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
007for the manufacture of electromechanical resonators or networks
02for the manufacture of piezo-electric or electrostrictive resonators or networks
H03H 9/02133
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
02Details
02007of bulk acoustic wave devices
02086Means for compensation or elimination of undesirable effects
02133of stress
H03H 9/02149
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
02Details
02007of bulk acoustic wave devices
02086Means for compensation or elimination of undesirable effects
02149of ageing changes of characteristics, e.g. electro-acousto-migration
H03H 9/173
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
15Constructional features of resonators consisting of piezo-electric or electrostrictive material
17having a single resonator
171implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
172Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
173Air-gaps
Déposants
  • SANGSHIN ELECOM CO., LTD. [KR/KR]; 614-1, Wolhari, Suhmyon Yunkikun Chungcheongnam-do 339-810, KR (AllExceptUS)
  • KIM, Hyeong Joon [KR/KR]; KR
  • LEE, Jae Bin [KR/KR]; KR
  • KIM, Heung Rae [KR/KR]; KR (UsOnly)
  • YEO, Ki Bong [KR/KR]; KR (UsOnly)
  • LEE, Young Soo [KR/KR]; KR (UsOnly)
Inventeurs
  • KIM, Hyeong Joon; KR
  • LEE, Jae Bin; KR
  • KIM, Heung Rae; KR
  • YEO, Ki Bong; KR
  • LEE, Young Soo; KR
Mandataires
  • JIN, Cheon Woong; #3F, Yonghun B/D 1542-14 Seocho-dong Seocho-ku Seoul 137-070, KR
Données relatives à la priorité
10-2003-004972821.07.2003KR
10-2004-005395912.07.2004KR
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt coréen (KO)
États désignés
Titre
(EN) SILICON FILM BULK ACOUSTIC WAVE DEVICE AND PROCESS OF THE SAME
(FR) COMPOSANT A ONDES ACOUSTIQUES STRATIFIE AU SILICIUM ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé
(EN)
The present invention relates to a film bulk acoustic wave device and a method of manufacturing the same, wherein comprising an acoustic reflective layer which is formed on a substrate by removing a sacrificial layer on the substrate and becomes an empty space; an oxidation protective film or etch protecting film which is formed in a pattern that divides a resonance region to form the acoustic reflective layer on the sacrificial layer; a thermal oxidation film which is formed by partially thermally oxidizing the sacrificial layer in an electrode region where the oxidation protective film or the etch protecting film is not formed; and a lower electrode, a piezoelectric thin film, and an upper electrode all of which are disposed on the thermal oxide. Further, the present invention is directed to a method of manufacturing the same.
(FR)
L'invention concerne un composant à ondes acoustiques stratifié et un procédé servant à le fabriquer, ce qui consiste à créer sur un substrat une couche réfléchissante acoustique par suppression d'une couche sacrificielle sur ce substrat, ce qui devient un espace vide, à créer une couche de protection contre l'oxydation ou contre l'attaque chimique selon une configuration divisant une zone de résonance afin de créer cette couche de réflexion acoustique sur la couche sacrificielle, à créer une couche d'oxydation thermique par oxydation thermique partielle de la couche sacrificielle dans une zone d'électrode exempte de la couche de protection contre l'oxydation ou contre l'attaque chimique. On dispose enfin sur l'oxyde thermique une électrode inférieure, une couche mince piézo-électrique et une électrode supérieure. L'invention concerne, de plus, un procédé servant à fabriquer ce composant.
Également publié en tant que
US2006186759
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international