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Paramétrages

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1. WO2005008849 - PROCEDE DE FORMATION D'UNE LIGNE DE SEPARATION SUR UN SUBSTRAT DE COMPOSANT ELECTRONIQUE PASSIF

Numéro de publication WO/2005/008849
Date de publication 27.01.2005
N° de la demande internationale PCT/US2004/022227
Date du dépôt international 09.07.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 11.02.2005
CIB
H01L 21/46 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
34les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs non couverts par H01L21/06, H01L21/16 et H01L21/18156
46Traitement de corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/36-H01L21/428161
H01L 21/78 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
H01L 21/301 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
301pour subdiviser un corps semi-conducteur en parties distinctes, p.ex. cloisonnement en zones séparées
CPC
B23K 2101/40
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
2101Articles made by soldering, welding or cutting
36Electric or electronic devices
40Semiconductor devices
B23K 2103/52
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
2103Materials to be soldered, welded or cut
50Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02B23K2103/26
52Ceramics
B23K 26/0622
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
26Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
06Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
062by direct control of the laser beam
0622by shaping pulses
B23K 26/364
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
26Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
36Removing material
362Laser etching
364for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
B23K 26/40
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
26Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
36Removing material
40taking account of the properties of the material involved
B28D 5/0011
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
5Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
0005by breaking, e.g. dicing
0011with preliminary treatment, e.g. weakening by scoring
Déposants
  • ELECTRO SCIENTIFIC INDUSTRIES, INC [US/US]; 13900 NW Science Park Drive Portland, OR 97229-5497, US (AllExceptUS)
  • SWENSON, Edward, J. [US/US]; US (UsOnly)
  • SUN, Yunlong [US/US]; US (UsOnly)
  • SAMMI, Manoj, Kumar [IN/US]; US (UsOnly)
  • JOHNSON, Jay, Christopher [US/US]; US (UsOnly)
  • GARCIA, Doug [US/US]; US (UsOnly)
  • ANKLEKAR, Rupendra, M. [IN/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • SWENSON, Edward, J.; US
  • SUN, Yunlong; US
  • SAMMI, Manoj, Kumar; US
  • JOHNSON, Jay, Christopher; US
  • GARCIA, Doug; US
  • ANKLEKAR, Rupendra, M.; US
Mandataires
  • SZCZERBICKI, Sandra, K.; Stoel Rives LLP 900 SW Fifth Avenue, Suite 2600 Portland, OR 97204-1268, US
Données relatives à la priorité
10/618,37711.07.2003US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD OF FORMING A SCRIBE LINE ON A PASSIVE ELECTRONIC COMPONENT SUBSTRATE
(FR) PROCEDE DE FORMATION D'UNE LIGNE DE SEPARATION SUR UN SUBSTRAT DE COMPOSANT ELECTRONIQUE PASSIF
Abrégé
(EN)
A method of forming a scribe line (36) having a sharp snap line (44) entails directing a UV laser beam (14) along a ceramic or ceramic-like substrate (10) such that a portion of the thickness (24) of the substrate (10) is removed. The UV laser beam forms a scribe line in the substrate in the absence of appreciable substrate melting so that a clearly defined snap line forms a region of high stress concentration extending into the thickness of the substrate. Consequently, multiple depthwise cracks propagate into the thickness of the substrate in the region of high stress concentration in response to a breakage force applied to either side of the scribe line to effect clean fracture of the substrate into separate circuit components. The formation of this region facilitates higher precision fracture of the substrate while maintaining the integrity of the interior structure of each component during and after application of the breakage force.
(FR)
L'invention concerne un procédé de formation d'une ligne de séparation (36) présentant une ligne de coupure profonde (44) consistant à diriger un faisceau laser UV (14) sur un substrat en céramique ou de type céramique (10) de telle sorte qu'une partie de l'épaisseur (24) du substrat (10) est éliminée. Le faisceau laser UV forme une ligne de séparation dans le substrat en l'absence d'une fusion significative du substrat de manière qu'une ligne de cassure clairement définie forme une région de haute concentration de contraintes s'étendant jusque dans l'épaisseur du substrat. Par conséquent, de multiples fissures de profondeur se propagent jusque dans l'épaisseur du substrat dans la région à haute concentration de contraintes en réponse à une force de cassure appliquée de chaque côté de la ligne de séparation pour obtenir une fracture nette du substrat en composants de circuits séparés. La formation de cette région facilite une fracture de plus grande précision du substrat tout en maintenant l'intégrité de la structure intérieure de chaque composant pendant et après l'application de la force de cassure.
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