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Paramétrages

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1. WO2005008794 - DIODE ELECTROLUMINESCENTE ET SON PROCEDE DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2005/008794
Date de publication 27.01.2005
N° de la demande internationale PCT/KR2004/001687
Date du dépôt international 09.07.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 25.11.2004
CIB
H01L 33/32 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
26Matériaux de la région électroluminescente
30contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique
32contenant de l'azote
CPC
H01L 33/0025
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
0004Devices characterised by their operation
002having heterojunctions or graded gap
0025comprising only AIIIBV compounds
H01L 33/06
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
04with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
06within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
H01L 33/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
12with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
H01L 33/32
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
26Materials of the light emitting region
30containing only elements of group III and group V of the periodic system
32containing nitrogen
Déposants
  • LG INNOTEK CO.,LTD [KR/KR]; 14th Fl., Hansol Bldg. 736-1 Yoksam-dong Kangnam-gu Seoul 135-983, KR (AllExceptUS)
  • KIM, Seong-Jae [KR/KR]; KR (UsOnly)
Inventeurs
  • KIM, Seong-Jae; KR
Mandataires
  • HAW, Yong-Noke; 8th Fl., Songchon Bldg. 642-15 Yoksam-dong Kangnam-gu Seoul 135-080, KR
Données relatives à la priorité
10-2003-004899318.07.2003KR
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt coréen (KO)
États désignés
Titre
(EN) LIGHT EMITTING DIODE AND FABRICATION METHOD THEREOF
(FR) DIODE ELECTROLUMINESCENTE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé
(EN)
A light emitting diode (LED) and a method for fabricating the same, capable of improving brightness by forming a InGaN layer having a low concentration of indium, and whose lattice constant is similar to that of an active layer of the LED, is provided. The LED includes: a buffer layer disposed on a sapphire substrate; a GaN layer disposed on the buffer layer; a doped GaN layer disposed on the GaN layer; a GaN layer having indium disposed on the GaN layer; an active layer disposed on the GaN layer having indium; and a P-type GaN disposed on the active layer. Here, an empirical formula of the GaN layer having indium is given by In(x)Ga(l-x)N and a range of x is given by 0<x<2, and a thickness of the GaN layer having indium is 50-200A.
(FR)
Cette invention concerne une diode électroluminescente (DEL) et un procédé de fabrication de cette diode électroluminescente qui permet d'améliorer la brillance en formant une couche de InGaN présentant une faible concentration d'indium et une constante du réseau cristallin semblable à celle d'une couche active de la diode électroluminescente. Cette diode électroluminescente comprend : une couche tampon disposée sur un substrat de saphir ; une couche de GaN disposée sur la couche tampon ; une couche de GaN dopé disposée sur la couche de GaN ; une couche de GaN comprenant de l'indium disposée sur la couche de GaN ; une couche active disposée sur la couche de GaN comprenant de l'indium ; et un GaN de type P disposé sur la couche active. Dans cette invention, une formule empirique de la couche de GaN comprenant de l'indium est représentée par In(x)Ga(1-x)N, x étant défini comme suit : 0<x<2, et l'épaisseur de la couche de GaN comprenant de l'indium est comprise entre 50 et 200Å.
Également publié en tant que
GB0600192
GBGB0600192.9
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