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Paramétrages

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1. WO2005008784 - TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP ET SON PROCEDE DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2005/008784
Date de publication 27.01.2005
N° de la demande internationale PCT/JP2004/010275
Date du dépôt international 13.07.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 26.04.2005
CIB
H01L 51/30 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
05spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
30Emploi de matériaux spécifiés
CPC
B82Y 10/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
10Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
H01L 27/3244
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
28including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part
32with components specially adapted for light emission, e.g. flat-panel displays using organic light-emitting diodes [OLED]
3241Matrix-type displays
3244Active matrix displays
H01L 51/0048
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0032Selection of organic semiconducting materials, e.g. organic light sensitive or organic light emitting materials
0045Carbon containing materials, e.g. carbon nanotubes, fullerenes
0048Carbon nanotubes
H01L 51/0545
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
05specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential- jump barrier or surface barrier ; multistep processes for their manufacture
0504the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or swiched, e.g. three-terminal devices
0508Field-effect devices, e.g. TFTs
0512insulated gate field effect transistors
0545Lateral single gate single channel transistors with inverted structure, i.e. the organic semiconductor layer is formed after the gate electrode
H01L 51/0595
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
05specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential- jump barrier or surface barrier ; multistep processes for their manufacture
0575the devices being controllable only by variation of the electric current supplied or the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. two-terminal devices
0595molecular electronic devices
Déposants
  • 松下電器産業株式会社 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 〒5718501 大阪府門真市大字門真1006番地 Osaka 1006, Oaza Kadoma Kadoma-shi, Osaka 5718501, JP (AllExceptUS)
  • 七井 識成 NANAI, Norishige; null (UsOnly)
  • 脇田 尚英 WAKITA, Naohide; null (UsOnly)
  • 竹内 孝之 TAKEUCHI, Takayuki; null (UsOnly)
Inventeurs
  • 七井 識成 NANAI, Norishige; null
  • 脇田 尚英 WAKITA, Naohide; null
  • 竹内 孝之 TAKEUCHI, Takayuki; null
Mandataires
  • 角田 嘉宏 SUMIDA, Yoshihiro; 〒6500031 兵庫県神戸市中央区東町123番地の1 貿易ビル3階有古特許事務所 Hyogo Arco Patent Office 3rd Fl., Bo-eki Bldg. 123-1, Higashi-machi Chuo-ku, Kobe-shi Hyogo 6500031, JP
Données relatives à la priorité
2003-27589617.07.2003JP
2003-31801010.09.2003JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP ET SON PROCEDE DE FABRICATION
(JA) 電界効果型トランジスタおよびその製造方法
Abrégé
(EN)
A field effect transistor is disclosed which comprises a semiconductor layer in which carriers injected from a source region move toward a drain region. The semiconductor layer is composed of a composite material containing an organic semiconductor material and nanotubes. The nanotubes may be connected with one another.
(FR)
La présente invention concerne un transistor à effet de champ qui comporte une couche de semi-conducteur dans laquelle des transporteurs injectés depuis une région source se déplacent en direction d'une région de drain. La couche de semi-conducteur est constituée d'un matériau composite contenant un matériau semi-conducteur organique et des nanotubes. Les nanotubes peuvent être reliés les uns aux autres.
(JA)
本発明の電界効果型トランジスタは、ソース領域から注入されドレーン領域へ向かうキャリアが移動する半導体層を有し、前記半導体層が有機半導体材料とナノチューブとを含む複合材料で形成されている。前記ナノチューブは、複数個のナノチューブが連結されているナノチューブであっても良い。
Également publié en tant que
US2007108480
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