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Paramétrages

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1. WO2005008783 - ELEMENT DE COMMUTATION, SON PROCEDE DE COMMANDE, CIRCUIT INTEGRE A LOGIQUE REENREGISTRABLE ET ELEMENT DE MEMOIRE

Numéro de publication WO/2005/008783
Date de publication 27.01.2005
N° de la demande internationale PCT/JP2004/010206
Date du dépôt international 16.07.2004
CIB
H01L 27/10 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
10comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
H01L 45/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
45Dispositifs à l'état solide spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la production d'oscillations ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface, p.ex. triodes diélectriques; Dispositifs à effet Ovshinsky; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
CPC
G11C 13/0011
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
13Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00 - G11C25/00
0002using resistive RAM [RRAM] elements
0009RRAM elements whose operation depends upon chemical change
0011comprising conductive bridging RAM [CBRAM] or programming metallization cells [PMCs]
G11C 13/0069
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
13Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00 - G11C25/00
0002using resistive RAM [RRAM] elements
0021Auxiliary circuits
0069Writing or programming circuits or methods
G11C 2013/009
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
13Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00 - G11C25/00
0002using resistive RAM [RRAM] elements
0021Auxiliary circuits
0069Writing or programming circuits or methods
009Write using potential difference applied between cell electrodes
G11C 2213/15
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
2213Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
10Resistive cells; Technology aspects
15Current-voltage curve
G11C 2213/79
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
2213Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
70Resistive array aspects
79Array wherein the access device being a transistor
H01L 27/101
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
101including resistors or capacitors only
Déposants
  • 日本電気株式会社 NEC CORPORATION [JP/JP]; 〒1088001 東京都港区芝五丁目7番1号 Tokyo 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001, JP (AllExceptUS)
  • 阪本 利司 SAKAMOTO, Toshitsugu [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 川浦 久雄 KAWAURA, Hisao [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 砂村 潤 SUNAMURA, Hiroshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 阪本 利司 SAKAMOTO, Toshitsugu; JP
  • 川浦 久雄 KAWAURA, Hisao; JP
  • 砂村 潤 SUNAMURA, Hiroshi; JP
Mandataires
  • 宮崎 昭夫 MIYAZAKI, Teruo; 〒1070052 東京都港区赤坂1丁目9番20号 第16興和ビル8階 Tokyo 8th Floor, 16th Kowa Bldg., 9-20, Akasaka 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1070052, JP
Données relatives à la priorité
2003-27666018.07.2003JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SWITCHING ELEMENT, SWITCHING ELEMENT DRIVING METHOD, REWRITABLE LOGIC INTEGRATED CIRCUIT AND MEMORY ELEMENT
(FR) ELEMENT DE COMMUTATION, SON PROCEDE DE COMMANDE, CIRCUIT INTEGRE A LOGIQUE REENREGISTRABLE ET ELEMENT DE MEMOIRE
(JA) スイッチング素子、スイッチング素子の駆動方法、書き換え可能な論理集積回路およびメモリ素子
Abrégé
(EN)
A switching element comprises an ion conductor for conducting metal ions used in electrochemical reaction, a first electrode and a second electrode provided apart from each other by a specified distance while in contact with the ion conductor, and a third electrode provided in contact with the ion conductor. When a voltage causing transition to ON state is applied to the third electrode, a metal is deposited by metal ions between the first electrode and the second electrode, thereby electrically connecting the first and the second electrode. When a voltage causing transition to OFF state is applied to the third electrode, the deposited metal is dissolved, thereby electrically disconnecting the first electrode and the second electrode.
(FR)
L'invention porte sur un élément de commutation comprenant un conducteur ionique assurant la conduction des ions métalliques utilisés dans une réaction électrochimique, une première électrode et une seconde électrode espacées l'une de l'autre d'une distance déterminée tout en étant en contact avec le conduction ionique, et une troisième électrode en contact avec le conducteur ionique. Lorsqu'une tension générant une transition à l'état MARCHE est appliquée sur la troisième électrode, un métal est déposé par des ions métalliques entre la première et la seconde électrode, reliant ainsi électriquement ces deux électrodes. Lorsqu'une tension générant une transition à l'état ARRET est appliquée sur la troisième électrode, le métal déposé est dissous, ce qui déconnecte électriquement les première et seconde électrodes.
(JA)
 本発明のスイッチング素子は、電気化学反応に用いられる金属イオンが伝導するためのイオン伝導体と、イオン伝導体に接して、所定の距離だけ離れて設けられた第1の電極および第2の電極と、イオン伝導体に接して設けられた第3の電極とを有する構成である。オン状態に遷移させる電圧が第3の電極に印加されると、第1の電極および第2の電極の間に金属イオンによる金属を析出させて第1の電極および第2の電極を電気的に接続する。また、オフ状態に遷移させる電圧が第3の電極に印加されると、析出した金属を溶解させて第1の電極および第2の電極の電気的接続を切る。
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