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Paramétrages

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1. WO2005008761 - COMPOSANTS MULTICOUCHES, MATERIAUX, PROCEDES DE PRODUCTION ET UTILISATIONS

Numéro de publication WO/2005/008761
Date de publication 27.01.2005
N° de la demande internationale PCT/US2004/021738
Date du dépôt international 07.07.2004
CIB
B32B 3/26 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
32PRODUITS STRATIFIÉS
BPRODUITS STRATIFIÉS, c. à d. FAITS DE PLUSIEURS COUCHES DE FORME PLANE OU NON PLANE, p.ex. CELLULAIRE OU EN NID D'ABEILLES
3Produits stratifiés caractérisés essentiellement par le fait qu'une des couches comporte des discontinuités ou des rugosités externes ou internes, ou bien qu'une des couches est de forme générale non plane; Produits stratifiés caractérisés essentiellement par des particularismes de forme
26caractérisés par une couche continue dont le périmètre de la section droite a une allure particulière; caractérisés par une couche comportant des cavités ou des vides internes
B32B 9/04 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
32PRODUITS STRATIFIÉS
BPRODUITS STRATIFIÉS, c. à d. FAITS DE PLUSIEURS COUCHES DE FORME PLANE OU NON PLANE, p.ex. CELLULAIRE OU EN NID D'ABEILLES
9Produits stratifiés composés essentiellement d'une substance particulière non couverte par les groupes B32B11/-B32B29/155
04comprenant une telle substance comme seul composant ou composant principal d'une couche adjacente à une autre couche d'une substance spécifique
C07C 13/28 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
07CHIMIE ORGANIQUE
CCOMPOSÉS ACYCLIQUES OU CARBOCYCLIQUES
13Hydrocarbures cycliques contenant des cycles autres que des cycles aromatiques à six chaînons, avec ou sans cycles aromatiques à six chaînons
28Hydrocarbures polycycliques ou leurs dérivés hydrocarbonés acycliques
H01L 21/31 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
CPC
H01L 21/02118
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02112characterised by the material of the layer
02118carbon based polymeric organic or inorganic material, e.g. polyimides, poly cyclobutene or PVC
H01L 21/02126
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02112characterised by the material of the layer
02123the material containing silicon
02126the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
H01L 21/02203
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02203the layer being porous
H01L 21/02205
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02205the layer being characterised by the precursor material for deposition
H01L 21/0228
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02225characterised by the process for the formation of the insulating layer
0226formation by a deposition process
02263deposition from the gas or vapour phase
02271deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
0228deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
H01L 21/02362
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02296characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
02318post-treatment
02362formation of intermediate layers, e.g. capping layers or diffusion barriers
Déposants
  • HONEYWELL INTERNATIONAL INC. [US/US]; P.O. Box 1450 101 Columbia Road Morristown, NJ 07962, US
  • IWAMOTO, Nancy [US/US]; US
  • KENNEDY, Joseph [US/US]; US
  • LEE, Eal [US/US]; US
Inventeurs
  • IWAMOTO, Nancy; US
  • KENNEDY, Joseph; US
  • LEE, Eal; US
Mandataires
  • THOMPSON, Sandra, P. ; Bingham McCutchen Three Embarcadero Center San Francisco, CA 94111-4067, US
Données relatives à la priorité
10/875,05022.06.2004US
60/486,87810.07.2003US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) LAYERED COMPONENTS, MATERIALS, METHODS OF PRODUCTION AND USES THEREOF
(FR) COMPOSANTS MULTICOUCHES, MATERIAUX, PROCEDES DE PRODUCTION ET UTILISATIONS
Abrégé
(EN)
A layered component is described herein that includes: a substrate; a dielectric material having a plurality of pores, wherein the material is coupled to the substrate; and a self-assembled diffusion blocking material coupled to the dielectric material, wherein the diffusion blocking material is attracted to the dielectric material. A layered component is also described herein that includes: a substrate; a dielectric material having a plurality of pores, wherein the material is coupled to the substrate; and a self-assembled diffusion blocking material coupled to the dielectric material, wherein the diffusion blocking material reacts with the dielectric material. A layered material is described that includes: a) a porous material comprising a porous surface; and b) a layer of blocking material comprising reactive functionalities coupled to the porous surface, wherein the interaction of the reactive functionalities with the porous material forms a diffusion blocking layer. Methods are also described of minimizing the diffusion of metal atoms, reactive etchants or CVD/ALD precursor materials into a material having a plurality of pores are disclosed herein that include: a) providing a precursor material that comprises a carbon-including material; b) providing a solvent carrier solution; c) combining the precursor material and the solvent carrier solution to form a diffusion blocking reactive solution; and d) applying the diffusion blocking reactive solution to the material having a plurality of pores to form a diffusion blocking material.
(FR)
L'invention concerne un composant multicouche comprenant un substrat, un matériau diélectrique présentant une pluralité de pores, ledit matériau étant couplé au substrat, et un matériau de blocage de diffusion auto-assemblé couplé au matériau diélectrique, le matériau de blocage de diffusion étant attiré vers le matériau diélectrique. L'invention concerne également un composant multicouche comprenant un substrat, un matériau diélectrique présentant une pluralité de pores, ledit matériau étant couplé au substrat, et un matériau de blocage de diffusion auto-assemblé couplé au matériau diélectrique, ledit matériau de blocage de diffusion réagissant avec le matériau diélectrique. L'invention concerne, en outre, un matériau multicouche comprenant a) un matériau poreux présentant une surface poreuse, et b) une couche de matériau de blocage comprenant des fonctionnalités réactives, couplé à la surface poreuse, l'interaction desdites fonctionnalités réactives avec le matériau poreux formant une couche de blocage de diffusion. L'invention concerne, de plus, des procédés destinés à minimiser la diffusion d'atomes métalliques, d'agents de gravure réactifs ou de matériaux précurseurs CVD/ALD dans un matériau présentant une pluralité de pores, consistant a) à utiliser un matériau précurseur contenant un matériau fait de carbone; b) à utiliser une solution de transport de solvant; c) à combiner le matériau précurseur et la solution de transport de solvant de manière à former une solution réactive de blocage de diffusion; et d) à appliquer la solution réactive de blocage de diffusion sur le matériau présentant une pluralité de pores pour former un matériau de blocage de diffusion.
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international