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Paramétrages

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1. WO2005008760 - PROCEDE POUR FORMER PAR GRAVURE ANISOTROPE, UNE CAVITE DANS UN SUBSTRAT DE SILICIUM, ET UTILISATION D'UN DISPOSITIF DE GRAVURE AU PLASMA

Numéro de publication WO/2005/008760
Date de publication 27.01.2005
N° de la demande internationale PCT/EP2004/051285
Date du dépôt international 29.06.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 15.04.2005
CIB
H01J 37/32 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
32Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
H01L 21/3065 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3065Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
CPC
H01J 2237/3347
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
2237Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
32Processing objects by plasma generation
33characterised by the type of processing
334Etching
3343Problems associated with etching
3347bottom of holes or trenches
H01J 37/32
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
H01J 37/3244
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
3244Gas supply means
H01J 37/32449
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
3244Gas supply means
32449Gas control, e.g. control of the gas flow
H01J 37/32834
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
32798Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
32816Pressure
32834Exhausting
H01J 37/32981
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32917Plasma diagnostics
32935Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
32981Gas analysis
Déposants
  • INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Str. 53 81669 München, DE (AllExceptUS)
  • HANEWALD, Thorsten [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • HAUSER, Andreas [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • JANSSEN, Ingold [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • SUBKE, Kai-Olaf [DE/DE]; DE (UsOnly)
Inventeurs
  • HANEWALD, Thorsten; DE
  • HAUSER, Andreas; DE
  • JANSSEN, Ingold; DE
  • SUBKE, Kai-Olaf; DE
Mandataires
  • KARL, Frank ; Patentanwälte Kindermann P.O. Box 100234 85593 Baldham, DE
Données relatives à la priorité
103 31 526.811.07.2003DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) VERFAHREN ZUM ANISOTROPEN ÄTZEN EINER AUSNEHMUNG IN EIN SILIZIUMSUBSTRAT UND VERWENDUNG EINER PLASMAÄTZANLAGE
(EN) METHOD FOR ANISOTROPICALLY ETCHING A RECESS IN A SILICON SUBSTRATE AND USE OF A PLASMA ETCHING SYSTEM
(FR) PROCEDE POUR FORMER PAR GRAVURE ANISOTROPE, UNE CAVITE DANS UN SUBSTRAT DE SILICIUM, ET UTILISATION D'UN DISPOSITIF DE GRAVURE AU PLASMA
Abrégé
(DE)
Erläutert wird ein Verfahren bei dem ein Plasma zur energetischen Anregung eines reaktiven Ätzgases eingesetzt wird. Das reaktive Ätzgas ist Bestandteil eines kontinuierlichen Gasflusses. Ohne zwischenzeitliche Unterbrechung des Gasflusses wird eine Ausnehmung um mindestens fünfzig Mikrometer vertieft, so dass ein einfaches Verfahren zum Erzeugen tiefer Ausnehmungen angegeben wird.
(EN)
The invention relates to a method, wherein plasma is used for energetic excitation of a reactive etching gas. The reactive etching gas is a component of a continuous gas flow. A recess is deepened by at least 50 micrometers without interrupting the gas. A simple method is thus disclosed in order to produce deeper recesses.
(FR)
La présente invention concerne un procédé selon lequel un plasma est utilisé pour produire l'excitation énergétique d'un gaz de gravure réactif. Le gaz de gravure réactif appartient à un flux de gaz continu. Une cavité d'une profondeur d'au moins cinquante micromètres est réalisée sans interruption du flux de gaz, de sorte qu'on obtient un procédé qui permet de produire de manière simple des cavités de profondeur supérieure.
Également publié en tant que
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