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Paramétrages

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1. WO2005008695 - ELEMENTS INDUCTIFS ET CAPACITIFS POUR TECHNOLOGIES DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS A EXIGENCES MINIMALES EN MATIERE DE DENSITE DE CIRCUITS

Numéro de publication WO/2005/008695
Date de publication 27.01.2005
N° de la demande internationale PCT/IB2004/051234
Date du dépôt international 15.07.2004
CIB
H01F 17/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
FAIMANTS; INDUCTANCES; TRANSFORMATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS MAGNÉTIQUES
17Inductances fixes du type pour signaux
H01L 23/522 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
522comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
H01L 27/08 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
08comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type
CPC
H01F 2017/008
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
17Fixed inductances of the signal type
0006Printed inductances
008Electric or magnetic shielding of printed inductances
H01L 23/5222
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another ; , i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
522including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
5222Capacitive arrangements or effects of, or between wiring layers
H01L 23/5227
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another ; , i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
522including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
5227Inductive arrangements or effects of, or between, wiring layers
H01L 27/08
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
08including only semiconductor components of a single kind
H01L 2924/0002
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
0001Technical content checked by a classifier
0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Déposants
  • KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1 NL-5621 BA Eindhoven, NL (AllExceptUS)
  • DETCHEVERRY, Celine, J. [FR/BE]; NL (UsOnly)
  • VAN NOORT, Wibo, D. [NL/BE]; NL (UsOnly)
Inventeurs
  • DETCHEVERRY, Celine, J.; NL
  • VAN NOORT, Wibo, D.; NL
Mandataires
  • ELEVELD, Koop, J.; Prof. Holstlaan 6 NL-5656 AA Eindhoven, NL
Données relatives à la priorité
03102261.923.07.2003EP
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) INDUCTIVE AND CAPACITIVE ELEMENTS FOR SEMICONDUCTOR TECHNOLOGIES WITH MINIMUM PATTERN DENSITY REQUIREMENTS
(FR) ELEMENTS INDUCTIFS ET CAPACITIFS POUR TECHNOLOGIES DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS A EXIGENCES MINIMALES EN MATIERE DE DENSITE DE CIRCUITS
Abrégé
(EN)
The present invention provides a semiconductor device (10) comprising a plurality of layers, the semiconductor device comprising: - a substrate (20) having a first major surface, - an inductive element (11) fabricated on the first major surface of the substrate, the inductive element comprising at least one conductive line, and - a plurality of tilling structures in at least one layer, wherein the plurality of tilling structures are electrically connected together and are arranged in a geometrical pattern (14) so as to substantially inhibit an inducement of an image current in the tilling structures by a current in the inductive element. It is an advantage of the above semiconductor device that, by using such tilling structures, an inductive element with improved quality factor is obtained. The present invention also provides a method for providing an inductive element in a semiconductor device comprising a plurality of layers.
(FR)
L'invention concerne un dispositif semi-conducteur avec une pluralité de couches et comprenant un substrat avec une première surface principale ; un élément inductif formé sur la première surface principale du substrat et comprenant au moins une tracé conducteur ; et une pluralité de structures de remplissage dans au moins une couche, la pluralité de structures de remplissage étant électriquement interconnectées et agencées selon un dessin géométrique afin d'inhiber sensiblement la formation par un courant dans l'élément inductif d'un courant inductif d'image dans les structures de remplissage. L'utilisation de ces structures de remplissage a l'avantage de permettre d'obtenir un dispositif semi-conducteur avec un élément inductif ayant un facteur de qualité amélioré. L'invention concerne également un procédé de formation d'un élément inductif dans un dispositif semi-conducteur avec une pluralité de couches.
Également publié en tant que
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